DDR5 SDRAM - пятое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Память DDR5 предоставит меньшее энергопотребление, а также удвоенную пропускную способность и объём по сравнению с DDR4 SDRAM. Корпорация Intel ранее предполагала, что JEDEC может выпустить спецификацию DDR5 SDRAM в 2016 году, с коммерческой доступностью памяти к 2020 году, но уже в марте 2017 года JEDEC сообщила о планах выпустить спецификацию DDR5 в 2018 году. На форуме JEDEC Server в 2017 году сообщалось о дате предварительного доступа к описанию DDR5 SDRAM с 19 июня 2017 года, а 31 октября начался двухдневный «DDR5 SDRAM Workshop». Компания Rambus анонсировала прототип памяти DDR5 RAM в сентябре 2017 года, с доступностью не ранее 3 квартала 2018 года. Micron изготовила первые прототипы памяти в 2017 году, они были проверены при помощи контроллера Cadence (TSMC, 7 нм). Многие аналитики ожидали, что линейка памяти DDR завершится на DDR4, но так как за последние годы дизайн компьютеров и серверов не сильно изменился, то производителям ничего не мешает выпустить DDR5 с улучшенными характеристиками. Оперативная память типа DDR5 будет в два раза быстрее по сравнению с нынешней DDR4. Также она будет энергоэффективнее. Кроме этого, DDR5 имеет вдвое большую плотность, чем DDR4. Таким образом, модули памяти типа DDR5 получат вдвое большую ёмкость по сравнению с нынешними модулями DDR4. Финальные спецификации стандарта DDR5 были объявлены в 2018 году, а вот в компьютерах такая память стала появляться ближе к 2020 году. Первыми новую память получили сервера и игровые ПК, а уже потом она будет массово устанавливаться в ноутбуках, мобильных устройствах и компьютерах. Представители JEDEC также объявили, что они разрабатывают спецификации для новой формы гибридной памяти под названием NVDIMM-P. NVDIMM - это форма постоянной памяти, которая объединяет энергонезависимую флэш-память и энергозависимую оперативную память в слот DIMM. Такой тип памяти предназначен для баз данных, где для обработки и кэширования используется сочетание флэш-памяти и DRAM. Оперативная память DDR5 только появилась на рынке, но фирма Samsung уже работала над памятью DDR6. Её скорость составит 12800 Мбит/с, как регламентирует стандарт JEDEC. Однако это без учёта разгона, а с учётом его модули DDR6 вполне смогут продемонстрировать скорость 17000 Мбит/с. Более того, при регламентированной скорости 6400 Мбит/с и разгоне до 8500 Мбит/с некоторые модули DDR5 в реальности разгоняются до 12000 Мбит/с, так что и DDR6 вполне может покориться скорость 20000 Мбит/с. Память DDR4 продержалась шесть лет до появления DDR5 на рынке. Если DDR5 повторит путь предшественницы, то появление DDR6 в продаже следует ждать не раньше 2026 года. DDR6 должна иметь четыре канала на модуль памяти (вдвое больше, чем DDR5) и больше банков (64 вместо 32; в четыре раза больше, чем в DDR4), а производительность у DDR6 должна быть вдвое выше, чем у DDR5. Разогнанная память DDR6 должна будет достичь эффективных тактовых частот до 17000 МГц. Естественно, вы также можете рассчитывать на большую емкость микросхем (в потребительской DDR5 максимальное значение составляет 128 ГБ, а DDR6 предложит 512 ГБ).
Версия сайта для слабовидящих