DRAM (Dynamic RAM) - микросхемы динамической (оперативной) памяти. Элементы памяти представляют собой емкость(транзисторного перехода), что обуславливает необходимость регенерации хранимых данных.
Банк памяти - набирается из микросхем или модулей DRAM (имеющих общий объединенный сигнал RAS#), количество которых обеспечивает необходимую разрядность памяти, требуемую процессором.
Memory Interleave - чередование памяти (чередование банков памяти). В DRAM после завершения доступа выдерживается пауза, необходимая для подготовки схем к следующему циклу чтения или записи. Если расположенные по последовательным адресам ячейки памяти расположить в разных банках памяти, то пауз можно избежать (пока идет пауза в одном банке, процессор осуществляет обращение к следующей ячейке расположенной в другом банке памяти). Обычная память с временем доступа 60 нс при чередовании банков памяти обеспечивает время доступа 35 нс.
Shadow RAM - отображаемая (теневая) память, которая содержит скопированные в нее программы (например, BIOS) из ROM (постоянной памяти) для ускорения их выполнения (доступ к ROM осуществляется медленнее, чем к DRAM). Микросхемы ROM отключаются, аShadow RAM объявляется защищенной от записи, и ей присваиваются те же адреса, что и у затененной ROM (для системной BIOS сегмент F000, для BIOS видеосистемы - первые 32 Кбайт сегмента C000). В некоторых компьютерах под затенение выделяют память блоками по 16 Кбайт для заполнения сегментов С000 и D000.
FPM (Fast Page Mode) - режим быстрого страничного обмена (обычная память со временем доступа 60 нс при чтении страницы обеспечивает время доступа 35 нс).FPM-режим обеспечивает аппаратура контроллера DRAM.
EDO (Enhanced Data Out)DRAM - эта память имеет регистр-защелку для выходных данных, в котором по снятию сигнала CAS# фиксируются считанные из элементов памяти данные. Это позволило сократить длительность цикла работы памяти (например, с 70 нс до 60 нс) за счет уменьшения длительности сигнала CAS#. В режиме HPM (Hyper Page Mode) - гиперстраничном режиме обмена (аналог FPM для EDO) - время доступа - до 25 нс.
BEDO (BurstEnhancedDataOut)DRAM - этоEDO-память, оптимизированная под выполнение пакетных (Burst) операций обмена. Микросхемы принимают только начальный адрес пакета данных состоящего из четырех слов, а адреса последующих слов пакета формируются внутренним счетчиком микросхем. BEDO DRAM на тактовой частоте до 66 Мгц обеспечивает пакетный обмен 5-1-1-1. Обозначение пакетного цикла, например, 5-1-1-1 означает, что на чтение первого слова пакета затрачивается пять тактов, а на чтение последующих слов пакета - по одному такту.
SDRAM (Sync Dynamic RAM) - синхронная динамическая память с внутренней организацией чередования банков и перепрограммируемыми параметрами, с набором команд, обеспечивающим:
- чтение/запись с программируемыми параметрами пакетного цикла с конвейерной адресацией (длина пакета до 256 слов);
- автоматическую регенерацию;
-"спящий"режим с внутренней саморегенерацией в режиме пониженного энергопотребления. Все сигналы синхронизируются по положительному перепаду тактовых импульсов Host-шины. SDRAM на тактовой частоте 100 Мгц обеспечивает пакетный обмен 5-1-1-1(причем пакет х-1-1-1 может быть прерван или расширен с помощью дополнительного тактового сигнала).
CDRAM (Cached DRAM) - DRAM с размещенной прямо на кристалле статической кэш-памятью (например, CDRAM 16 Мбит с 16-Кбайтным кэш и внутренней 128- разрядной шиной данных).
EDRAM (Enhanced DRAM) - DRAM с размещенной прямо на кристалле статической кэш-памятью (например, EDRAM 4 Мбит с 8 Кбайтным кэш и внутренней 2048- разрядной шиной данных).
SDRAM II или DDR /II/3 (Double Data Rate)
Синхронная динамическая память второго поколения SDRAM II или DDR (Double Data Rate - с удвоенной скоростью передачи данных) это еще более совершенная синхронная память с удвоенной скоростью передачи данных за счет "сдвоенных передач". При "сдвоенных передачах" обмен осуществляется как по переднему, так и по заднему фронту внешних тактовых импульсов микропроцессора. Благодаря замене сигналов TTL/LVTTL логики на сигналы SSTL3 новая память может работать на значительно большей тактовой частоте.
SLDRAM (SyncLinc)- это также усовершенствованный вид синхронной динамической памяти, в которой используется новый интерфейс и управляющая логика, позволяющая использовать пакетный протокол для адресации ячеек памяти, но SLDRAM передает данные по каждому внешнему тактовому импульсу микропроцессора. Если раньше использовалась четырехбанковая архитектура модулей, то в SLDRAM используется шестнадцатибанковая архитектура модулей памяти.
VRAM – это видеопамять (двухпортовая) к которой одновременно могут обращаться два абонента (графический процессор и цифроаналоговый преобразователь).
WRAM – это усовершенстваванная двухпортовая видеопамять VRAM фирмы Samsung, предназначенная для видеоадаптеров высоеого класса.
MDRAM– многобанковые ОЗУ, состоящая из множества банков небольшого объема. Используется в графических видеосистемах, причем обращение к каждому банку можно сделать независимым. Позволяет снизить стоимость современных видеосистем.
SGRAM – синхронная графическая оперативная память. Предназначена для особо скоростных видеоадаптеров (частота обращений может достигать 125 Мгц)
RAS-only-Refresh - стандартнаярегенерация (Standard Refresh). В этом случае речь идет о способе регенерации по строкам памяти, при котором перебор адресов происходит в сопровождении только сигнала строба адреса строки RAS (Row Address Strobe). Каждые 15 мкс регенерации подвергается новый адрес.
CAS-before-RAS (CBR) Refresh - одновременная регенерация (ConcurrentRefresh или CBR-Refresh - адрес столбца перед адресом строки). В этом способе микросхемы памяти используют внутренний генератор адреса, который также активизируется каждые 15 мкс).
Hidden Refresh - скрытая регенерация. Скрытая регенерация выполняется непосредственно после доступа к DRAM. Микросхема памяти удерживает активным сигнал CAS# и еще раз активизирует сигнал RAS (что соответствует CBR-Refresh и занимает рекордно короткое время). Обозначение Hidden Refresh в BIOS-настройках на самом деле соответствует CBR-Refresh.
Self Refresh - саморегенерация. Это способ регенерации современных микросхем DRAM. В этом случае микросхема имеет свой собственный внутренний таймер и может сама запускать внутренний цикл регенерации.
Burst Refresh - пакетная регенерация. Вместо одного адреса регенерации при пакетной регенерации передаются сразу несколько (пакет) адресов для нескольких последовательно выполняемых регенераций. Контроллер памяти может накапливать запросы на регенерацию и удовлетворять их по возможности в свободные циклы.
Slow Refresh - замедленная регенерация. В этом способе 15-мкс цикл регенерации просто удлиняется до 30 или 60 мкс. Современные микросхемы DRAM часто не нуждаются в регенерации каждые 15 мкс.
ShadowMemory . Это так называемая теневая память. В адресах памяти от 640 кб до 1 Мб (A0000-FFFFF) находятся "окна" 1000 ;, через которые видно содержимое различных системных ПЗУ. Например, окно F0000-FFFFF занимает системное ПЗУ, содержащее системный BIOS, окно C0000-C7FFF - ПЗУ видеоадаптера (видео-BIOS), и т.п. При включении для каких-либо окон режима Shadow содержимое их ПЗУ копируется в участки ОЗУ, которые затем подключаются к этим же адресам вместо ПЗУ, "затеняя" их; запись в эти участки аппаратно запрещается для полной имитации ПЗУ. Это дает в первую очередь ускорение работы с рограммами/данными ПЗУ за счет более высокого быстродействия микросхем ОЗУ. Кроме этого, появляется возможность модифицировать видимое содержимое ПЗУ (почти все современные системные BIOS используют это для самонастройки). В области видео-BIOS можно поменять экранные шрифты и т.п. Управлением теневой памятью занимается Chiрset платы, поэтому не все платы позволяют это делать (хотя сейчас таких плат практически не осталось). Есть различные программы для создания средствами теневой памяти UMB-блоков в MS DOS или для загрузки экранных шрифтов в область видео-BIOS (например, S_FONT).
Версия сайта для слабовидящих