Алгоритм - Учебный центр

Версия сайта для слабовидящих
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Схема клампирования в ИБП.

Схема клампирования  в ИБП.

 

В источниках с импульсно-прямоугольным напряжением  на выходе при работе от аккумуляторных батарей в силовой части инвертора всегда присутствует схема клампирования  (схема фиксации, схема размагничивания).  Назначение данной схемы размагнитить трансформатор и обеспечить  формирование правильной  импульсно-прямоугольной   формы выходного  напряжения ИБП (см  рис.1).    В формируемом выходном напряжении  между прямоугольными импульсами переменного напряжения  должны присутствовать паузы с нулевым напряжением.  Без схемы  клампирования четкого нуля  в паузах получить не возможно, так как при работе трансформатора на реактивную нагрузку  в первичной силовой обмотке трансформатора  создаются паразитные ЭДС,  а также подмагничивание сердечника трансформатора, которые значительно искажают форму выходного напряжения.

etSMz5Xe.png (457×397)

Рис. 1. Импульсно-прямоугольное напряжение на выходе ИБП.

 

В таких ИБП реализована схема клампирования.  Она может быть реализована на двух схемотехнических решениях:

- с применением дополнительной клампирующей обмотки (см. рис. 2);

- с применением дополнительного шунтирующего низкоомного резистора (см. рис. 3).

etSMz5Xf.png (425×431)

Рис. 2. Схема поключения клампирующей обмотки.

 

В обоих вариантах во время нулевой паузы между импульсами выходного прямоугольного напряжения,  обмотка или резистор   коммутируются на землю с помощью транзисторов.   В результате такого шунтирования все паразитные ЭДС в первичной обмотке будут равны нулю, что будет способствовать  правильному формированию выходного напряжения.   Управление транзисторами коммутирующих дополнительную обмотку или резистор выполняется с управляющих микросхем, микропроцессоров или  ШИМ контроллеров ИБП.  Для управления транзисторами они формируют прямоугольный импульс с частотой 100Гц (CLAMP),  фаза которого совпадает с нулевой паузой выходного переменного напряжения. В результате такого управления паразитные ЭДС каждый полупериод будут сбрасываться на землю.

etSMz5Xg.png (532×354) 

Рис. 3. Схема клампирования  с шунтирующим резистором.

 


Лицензия