Варианты реализации схем клампирования в ИБП.
В источниках с импульсно-прямоугольным напряжением на выходе при работе от аккумуляторных батарей в силовой части инвертора всегда присутствует схема клампирования (схема фиксации, схема размагничивания). Назначение данной схемы размагнитить трансформатор и обеспечить формирование правильной импульсно-прямоугольной формы выходного напряжения ИБП (см рис.1). В формируемом выходном напряжении между прямоугольными импульсами переменного напряжения должны присутствовать паузы с нулевым напряжением. Без схемы клампирования четкого нуля в паузах получить не возможно, так как при работе трансформатора на реактивную нагрузку в первичной силовой обмотке трансформатора создаются паразитные ЭДС, а также подмагничивание сердечника трансформатора, которые значительно искажают форму выходного напряжения.
Рис. 1. Импульсно-прямоугольное напряжение на выходе ИБП
В таких ИБП реализована схема клампирования. Она может быть реализована на двух схемотехнических решениях:
- с применением дополнительной клампирующей обмотки (см. рис. 2);
- с применением дополнительного шунтирующего низкоомного резистора (см. рис. 3).
Рис. 2. Схема поключения клампирующей обмотки.
В обоих вариантах во время нулевой паузы между между импульсами выходного прямоугольного напряжения, обмотка или резистор коммутируются на землю с помощью транзисторов. В результате такого шунтирования все паразитные ЭДС в первичной обмотке будут равны нулю, что будет способствовать правильному формированию выходного напряжения. Управление транзисторами коммутирующих дополнительную обмотку или резистор выполняется с управляющих микросхем, микропроцессоров или ШИМ контроллеров ИБП. Для управления транзисторами они формируют прямоугольный импульс с частотой 100Гц (CLAMP), фаза которого совпадает с нулевой паузой выходного переменного напряжения. В результате такого управления паразитные ЭДС каждый полупериод будут сбрасываться на землю.
Рис. 3. Схема клампирования с шунтирующим резистором.