MOSFET-транзисторы.

MOSFET-транзисторы.

 MOSFET-транзисторы в корпусе SO-8.

                Применение сдвоенных транзисторов выгодно в тех случаях, когда в силовых каскадах используется несколько транзисторов и одновременно требуется повысить плотность монтажа и/или снизить количество комплектующих элементов. На данный момент доступны следующие сдвоенные

n-канальные MOSFET-транзисторы:

 - IRF8313PBF содержит два полностью идентичных и независимых n-канальных MOSFET-транзистора (рис. 1б),

 - а IRF8513PBF - два отличающихся по характеристикам n-канальных MOSFET-транзистора, включенных по схеме полумостового коммутатора (рис. 1в). Каждый из этих сдвоенных транзисторов оптимизирован для использования в высокоэффективных понижающих DC/DC-преобразователях с синхронным выпрямлением.

Рис. 1. Расположение выводов и схема внутренних подключений MOSFET транзисторов в корпусе SO-8

MOSFET-транзисторы в корпусе PQFN.

                Транзисторы разделены на две серии IRFH79xx и IRFH37xx. Серия IRFH79xx поставляется в корпусе типоразмера 5×6 мм, который занимает точно такую же площадь и использует то же посадочное место, что и корпус SO-8. Кроме того, у данных транзисторов сохранено идентичное транзисторам в корпусе SO-8 расположение выводов (см. рис. 2).

Рис. 2. Внешний вид и расположение выводов MOSFET транзисторов в корпусе PQFN

Благодаря этим особенностям, переход от корпуса SO-8 к корпусу PQFP реализуется достаточно просто, но при этом разработчик может использовать ряд преимуществ нового корпуса:

 - высота корпуса PQFP равна 0.9мм, что вдвое меньше по сравнению с корпусом SO-8;

 - выводы корпуса PQFP обладают более низким активным сопротивлением, благодаря чему, при прочих равных условиях, транзисторы, размещенные в этом корпусе, способны работать с более высоким током стока;

 - корпус PQFN обладает улучшенными тепловыми характеристиками; данное свойство может быть реализовано в целях повышения плотности мощности или снижения рабочей температуры транзистора (по данным производителя применение корпуса PQFN позволяет снизить температуру корпуса приблизительно на 30°С, когда транзистор используется в качестве синхронного выпрямителя, и приблизительно на 10°С, когда транзистор используется в роли силового ШИМ-коммутатора).

                Дополнительным стимулом к использованию корпуса PQFN является его сравнительно невысокая стоимость.

                Серия IRFH37xx на данный момент представлена двумя транзисторами на максимальные токи 12 и 16 А. Главным их отличием является размещение в корпусе PQFN меньшего типоразмера (3×3 мм), который при сохранении высоты на прежнем уровне (0.9 мм) позволяет уменьшить занимаемую на плате площадь на 70%. Вследствие этого повышается плотность мощности, однако у этого типоразмера корпуса PQFN снижены теплорассеивающие свойства.

                При обосновании выбора данных транзисторов также необходимо учитывать, что корпус PQFN относится к безвыводному типу корпусов, поэтому для обеспечения высокого качества продукции требуется применение более сложных технологий пайки и контроля качества пайки, чем могло бы потребоваться при использовании корпуса SO-8.