Технология XS DrMOS II.

                   Технология XS DrMOS II.

Технология DrMOS II представляет новое поколение микросхемы 3-в-1 Driver MOSFET, которые по сравнению со стандартными транзисторами MOSFET обеспечивают:

  - экономию электроэнергии - почти на 30% эффективней;

  - сниженную температуру - меньше на 16 °C;

  - быстрый отклик - переход от экстремального к энергосберегающему режиму в два раза быстрее;

  - стабильное электропитание - на 50% ниже уровень помех.

Компания Fairchild Semiconductor представила новое семейство второго поколения XS™ DrMOS (MOSFET-транзистор + драйвер) для разработчиков источников питания. Высокие характеристики эффективности и удельной плотности мощности позволяют разработчикам применять их во множестве различных приложений. DrMOS выпускаются в миниатюрных высокотехнологичных корпусах PQFN размером 6 × 6 мм и обеспечивают КПД до 91.5% при входном напряжении 12 В, выходном напряжении 1 В и токе 1 А, а их максимальный КПД может достигать 94%. DrMOS работют с частотой переключения до 2 МГц и способны управлять токами до 50 А.

 Используя опыт компании в разработке MOSFET-транзисторов, микросхем драйверов и технологий корпусирования, Fairchild оптимизировала приборы Generation II XS DrMOS, добавив в них новые функции и увеличив эффективность. Усовершенствованные Generation II XS DrMOS идеально подходят для таких приложений как блейд-серверы, игровые консоли, высокопроизводительные ноутбуки, графические карты и POL DC/DC преобразователи.

Имеющие трехуровневые входы, рассчитанные на напряжение 3.3 или 5 В, приборы соответствуют требованиям спецификации Intel 4.0 DrMOS и совместимы с различными ШИМ-контроллерами. Устройства второго поколения XS DrMOS имеют меньше шумов, вследствие примененной в них технологии экранирования PowerTrench MOSFET Shielded Gate, как в управляющем транзисторе, так и в транзисторах синхронного выпрямителя. Синхронные полевые транзисторы интегрируются с диодом Шотки, исключая потребность во внешних снабберных цепях и повышая уровень производительности и мощности, снижая при этом размеры и стоимость готового изделия. Новые XS DrMOS имеют, так же, функции предупреждения о превышении температуры кристалла, что позволяет потребителям предотвратить перегрев прибора в аварийных ситуациях.

В DrMOS II встроена полностью автоматическая двойная температурная защита. Когда рабочая температура достигает примерно 115°C, зажигается индикатор на системной плате, предупреждая о необходимости проверить состояние охлаждения MOSFET. Когда же температура достигнет около 130°С, система автоматически отключится, что гарантирует, что системная плата не будет повреждена от перегрева. Все эти компоненты прошли строгие испытания в сторонних лабораториях: экстремальные температуры, влажность, давление, вибрации, падения и получили сертификацию Military Class, что делает компоненты Military Class III от MSI синонимом высшего качества и стабильности.

 Устройства второго поколения XS DrMOS в состоянии удовлетворить различных потребителей и могут использоваться во множестве приложений (см. табл. 1). Информация по микросхеме FDMF-6705 приведена на рис. 1, 2 и 3. 

Таблица 1

Рис. 1. DrMOS-микросхема FDMF-6705

Рис. 2. Блок-схема DrMOS-микросхемы FDMF-6705

Рис. 3. Контакты и сигналы DrMOS-микросхемы FDMF-6705 

Стремясь уменьшить габариты ноутбуков и мобильных устройств, конструкторы сталкиваются со сложностями, связанными с высотой катушек индуктивности в цепях питания. Особенно остро эта проблема стоит в тонких устройствах, таких, как ультрабуки. Ориентируясь на потребности этого сегмента, компания Fairchild Semiconductor представила регуляторы напряжения FDMF6708N, относящиеся ко второму поколению приборов семейства XS DrMOS. Область применения FDMF6708N - мощные преобразователи постоянного напряжения, работающие на высокой частоте. Схема прибора включает два мощных МОП-транзистора, каскад управления и ограничительный диод Шоттки. Все эти компоненты находятся в корпусе типа PQFN размерами 6 х 6 мм, соответствующем спецификации Intel DrMOS v4.0.

FDMF6708N занимает на печатной плате на 50% меньше места, чем ближайший аналог. Работа на высокой частоте (600 кГц - 1 МГц) позволяет использовать индукторы и конденсаторы меньшего размера. Функция Zero Cross Detect (ZCD) повышает эффективность, что положительно сказывается на времени автономной работы мобильного устройства.