1024 Мбитная NAND Flash память (HY27(U/S)A(08/16)1G1M) компании HYNIX.

1024 Мбитная NAND Flash память (HY27(U/S)A(08/16)1G1M) компании HYNIX.

HY27(U/S)SXX1G1M - семейство энергонезависимой Flash памяти, построенной по NAND технологии. Приборы работают от 3.3 и 1.8 В питания. В зависимости от ширины шины (x8 или x16), приборы имеют размер страницы 528 байт (512 + 16 резервных) или 264 слова (256 + 8 резервных).

Шина адреса мультиплексируется с линиями ввода/вывода данных на x8 или x16 разрядную шину. Такой интерфейс позволяет уменьшить количество используемых выводов и обеспечить совместимость по выводам микросхем с различным объемом памяти (рис.1, 2).

Каждый блок может записываться и стираться более 100 000 раз. Для повышения срока службы NAND Flash памяти рекомендуется использовать код коррекции ошибок (ЕСС). Микросхемы имеют вывод аппаратной защиты от записи/стирания.

Приборы имеют выход с открытым стоком сигнала занятости Ready/Busy, который может использоваться для определения состояния контроллера записи/стирания/чтения (PER). Выход с открытым стоком позволяет подключать выходы индикации занятости от нескольких микросхем при помощи одного подтягивающего резистора к одному выводу микроконтроллера.

Для оптимизации обслуживания дефектных блоков имеется команда Copy Back. Если операция записи страницы не прошла, то можно записать данные в другую страницу без дополнительной пересылки данных.

Все микросхемы имеют встроенную кэш-память, которая позволяет повысить скорость записи больших объемов данных. Данные можно загружать в кэш-память уже тогда, когда предыдущие данные еще находятся в буфере страницы и записываются непосредственно в память.

Характеристики:                                                                      

• NAND FLASH память большого объема:
      - Эффективное по стоимости решение для приложений хранения больших массивов данных.
• NAND интерфейс:
      - Ширина шины x8 или x16;
      - Мультиплексирование шины адреса/данных;
      - Совместимость по выводам с микросхемами памяти различного объема.
• Напряжение питания:
      - 3.3 В приборы: V_CC = от 2.7 до 3.6 В: HY27UAXX1G1M;
      - 1.8 В приборы: V_CC = от 1.7 до 1.95 В: HY27SAXX1G1M.
• Блочная организация памяти:
      - 1056 Мбит = 528 байт x 32 страницы x 8 192 блоков.
• Размер страницы:
      - x8 приборы: (512 + 16 резервных) байт: HY27(U/S)A081G1M;
      - x16 приборы: (256 + 8 резервных) слов: HY27(U/S)A161G1M.
• Размер блока:
      - x8 приборы: (16 КБ + 512 резервных) байт;
      - x16 приборы: (8 КБ + 256 резервных) слов.
• Постраничное чтение/запись:
      - Произвольный доступ: 12 мкс (макс);
      - Последовательная выборка: 50 нс (мин);
      - Время записи страницы: 200 мкс (тип).
• Режим обратного копирования:
      - Высокоскоростное копирование без внешней буферизации.
• Кэширование при записи:
      - Внутренний кэш-регистр для повышения пропускной способности при записи.
• Быстрое стирание блоков:
      - Время стирания блока: 2 мс (тип).
• Регистр состояния.
• Электронная подпись.
• Опция игнорирования сигнала активизации микросхемы:
      - Простой интерфейс с микроконтроллером.
• После включения автоматическая установка для чтения нулевой страницы:
      - Поддержка загрузки из NAND памяти;
      - Автоматическая загрузка памяти.
• Опция заводского номера.
• Аппаратная защита данных:
      - Блокировка записи/стирания при изменении напряжения питания.
• Целостность данных:
      - 100 000 циклов записи/стирания;
      - Хранение данных более 10 лет.
• Корпусное исполнение:
      - HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-T (P): 48 контактный 12x20x1.2 мм TSOP1;
      - HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-T (с выводами);
      - HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-ТР (без выводов);
      - HY27(U/S) A 081G1M-V (P): 48 контактный 12 x 17 x 0.7 мм WSOP1;
      - HY27(U/S) A 081G1M-V (с выводами);
      - HY27(U/S) A 081G1M-VP (без выводов);
      - HY27 (U/S) A (08/16) 1G1M-F (P): 63 контактный 8.5x15x1.0 мм FBGA;
      - HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-F (с выводами);
      - HY27(U/S) A (08/16) 1G1M-FP (без выводов).

Блок- схема (рис. 1):

Рис. 1.

Приборы доступны в следующих корпусах:

• 48-TSOP1 (12 x 20 x 1.2 мм);
• 48-WSOP1 (12 x 17 x 0.7 мм);
• 63-FBGA (8.5 x 15 x 1.0 мм, 6 x 8 шариковых контактов с шагом 0.8 мм).

У микросхем семейства NAND Flash памяти имеется три опции:

- Automatic Page 0 Read after Power-up -Автоматическая установка для чтения нулевой страницы, что позволяет микроконтроллеру принимать загрузочный код с нулевой страницы.

- Chip Enable Dont Care - Опция игнорирования сигнала выбора чипа, которая позволяет микроконтроллеру непосредственно загружать код, так как изменение состояния вывода выбора чипа в течение времени ожидания не прервет операцию считывания.

- Serial Number - Опция заводского номера, которая позволяет идентифицировать приборы. Опция серийного номера является опцией не для всеобщего использования (NDA) и поэтому в данном техническом описании не раскрывается. Для получения информации необходимо заключить договор о неразглашении с ближайшим офисом компании HYNIX.

Рис. 2. Фрагмент принципиальной схемы.