Особенности и преимущества памяти DDR3L-RS.

Особенности и преимущества памяти DDR3L-RS.

                Стандарт памяти DDR3L-RS предназначен для мобильных устройств и, представленных сейчас изобилием ультрабуков, смартфонов и планшетных компьютеров. Суффикс RS - Reduced Standby - переводится как "сокращение ожидания", что подразумевает повышение энергоэффективности в режиме ожидания. DDR3L-RS отличается от памяти типа DDR3L пониженным потреблением в режиме регенерации и является также обратно совместимым со стандартом DDR3, так что нет никакой необходимости в замене контроллера, все дополнительные операции происходят в памяти устройства. 
                Ключевой DDR3L-RS особенностью является пониженная потребляемая мощность в режиме регенерации (это представляет интерес именно для мобильных устройств, и в случае настольных систем особого значения не имеет). Дело в том, что именно для ультрабуков экономия в режиме ожидания даже 250 мВт, в сумме обеспечивает большее время работы аккумуляторных батарей. В процессе биннинга вместе с несколькими дополнительными функциями, Micron может сократить в режиме ожидания потребление энергии для системы примерно на 25%. В случае микросхем плотностью 2 Гбит выигрыш достигает 50% по сравнению с памятью DDR3L. Ток саморегенерации IDD6 для памяти DDR3L-RS плотностью 2 Гбит не превышает 3,7 мА. Память DDR3L-RS плотностью 4 Гбит характеризуется таким же показателем энергетической эффективности, но дает возможность уменьшить количество микросхем в составе устройства. При этом показатели надежности остались на том же уровне, что и у обычной памяти DDR3L, а максимальная производительность остаётся на уровне 1600 МТ/с (мегатранзакций в секунду). Для 4-Гбит чипов при токе регенерации 3,7 мА производительность достигает 1866 МТ/с.
                Суть реализации процесса экономии энергии, если коротко, заключается в следующем.
На основе замеров собственной температуры, остывшая в режиме простоя до 45^оC память DDR3L-RS снижает интенсивность процессов обновления данных и, в итоге, значение токов IDD6 (self-refresh). Именно за счёт этого происходит экономия энергии при использовании памяти DDR3L-RS. Холодные кристаллы не требуют такого интенсивного цикла регенерации, как горячие, а современный стандарт DDR3 предписывает режим обновления для 85^оC, что на практике можно наблюдать далеко не всегда. Еще раз напомним, что выигрыш от использования DDR3L-RS даст заметный эффект лишь в случае мобильных систем.
                В режиме простоя память DDR3L-RS сэкономит системе до 25% энергии. Правда, в активном режиме память DDR3L-RS будет потреблять столько же, сколько память DDR3. Разница в том, что память DDR3L-RS имеет встроенные механизмы, которые управляют режимом регенерации данных в ячейках, для чего, что важно, внешние контроллеры переделывать не нужно. 
                Micron собирается представить микросхемы памяти типа DDR4-RS, которая будет дешевле LPDDR3, но переход от DDR3 на DDR4 потребует новых контроллеров памяти и они не будут обратно совместимы. Одно из самых больших изменений с DDR4 в том, что стандартное напряжение падает с 1,5 В (DDR3) до 1,2 В, что позволяет обеспечить экономию электроэнергии. 
                DRAM DDR3L-RS на базе 20-нм норм проектирования, благодаря применению передовой 20-нанометровой технологии и эффективному механизму управления энергопотреблением позволяет на 70% уменьшить потребляемую мощность в режиме ожидания по сравнению с получившей в последнее время широкое распространение памятью DDR3L с сохранением присущих ей показателей производительности.
Рабочая тактовая частота для новой микросхемы по-прежнему равна 1600 МГц. Как известно, память DDR3L работает при стандартном напряжении питания 1,35В против 1,5В у обычной DDR3 DRAM. 
                Память представлена как в виде отдельных чипов, так и в виде модулей памяти. Они предлагаются как "россыпью" (в виде отдельных микросхем емкостью 2, 4 и 8 Гбит), так и в составе готовых модулей памяти форм-фактора SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) в версиях на 2, 4 и 8 Гбайт.