Память DDR3L-RS, DDR4-RS.

Память DDR3L-RS, DDR4-RS.

                Память, представленная компанией Micron, имеет спецификацию DDR3L-RS. Среди ключевых особенностей своего продукта компания Micron отмечает не только увеличенное быстродействие, пониженное энергопотребление, но и более конкурентную, в сравнении с другими вендорами, стоимость готового чипа. Представители компании уверяют, что чипы DDR3L-RS обладают очень высоким уровнем энергоэффективности по сравнению с традиционными DRAM-модулями для компьютеров в режиме простоя устройства, что поможет максимизировать время работы от аккумулятора. 
                Суть реализации процесса экономии энергии, если коротко, заключается в следующем. На основе замеров собственной температуры, остывшая в режиме простоя до 45^оC память DDR3L-RS снижает интенсивность процессов обновления данных и, в итоге, значение токов IDD6 (self-refresh). Именно за счёт этого происходит экономия энергии при использовании памяти DDR3L-RS. Холодные кристаллы не требуют такого интенсивного цикла регенерации, как горячие, а современный стандарт DDR3 предписывает режим обновления для 85^оC, что на практике можно наблюдать далеко не всегда. Выигрыш от использования DDR3L-RS даст заметный эффект лишь в случае мобильных систем. Настольные ПК почти не ощутят всех прелестей DDR3L-RS. продолжительная работа от аккумулятора является одним из преимуществ ультрабуков.

                Micron собирается представить микросхемы памяти типа DDR4-RS, которая будет дешевле LPDDR3. Для перехода от DDR3 на DDR4 потребуются новые контроллеры памяти и они не будут обратно совместимы. Одно из самых больших изменений с DDR4 в том, что стандартное напряжение падает с 1,5 В (DDR3) до 1,2В, что позволяет обеспечить экономию электроэнергии относительно памяти DDR3L-RS. 
                Память, представленная компанией SK Hynix, - DRAM DDR3L-RS. Благодаря применению передовой 20-нанометровой технологии и эффективному механизму управления энергопотреблением память DDR3L-RS позволяет на 70% уменьшить потребляемую мощность в режиме ожидания по сравнению с получившей в последнее время широкое распространение памятью DDR3L с сохранением присущих ей показателей производительности. Рабочая тактовая частота для новой микросхемы по-прежнему равна 1600 МГц. Как известно, память DDR3L работает при стандартном напряжении питания 1,35 В против 1,5 В у обычной DDR3 DRAM. Разработка компании SK Hynix представлена как в виде отдельных чипов, так и в виде модулей памяти. Они предлагаются как "россыпью" (в виде отдельных микросхем емкостью 2, 4 и 8 Гбит), так и в составе готовых модулей памяти форм-фактора SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) в версиях на 2, 4 и 8 Гбайт.