У полевых транзисторов, выполненных по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) или MOSFET (Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor) расположение выводов (цоколевка) Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet), которые можно найти в инете (например на сайте alldatasheet.com).
Рассмотрим основные типы корпусов и цоколевку полевых транзисторов импортного производства:
1) Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3 (встречается в основном на «пожилых» платах, на современных используется редко).
2)Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3(используется наиболее часто, представляет собой уменьшенный D²PAK).
3)Корпус типа SO-8 (встречается на материнских платах ПК и видеокартах, внутри может скрываться один или два полевых транзистора).
4)Корпус типа SuperSO-8, он же - TDSON-8 (отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим, корпус характерен для продуктов фирмы Infineon и легко заменяется на аналог в корпусе SO-8).
5)Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3 (полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой, этот тип транзисторов очень часто использует фирма Intel на ряде своих плат).
Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Datasheet - официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. (Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF). Ниже показаны примеры цоколевок MOSFET-транзисторов:
на рис. 1 - uPA2724UT1A,
на рис. 2 - TexasInstrumentsMOSFETCSD16321Q5C,
на рис. 3 - LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA),
на рис. 4 - MOSFET-транзисторы NTMFS4834N,
на рис. 5 - VishaySiliconixDualN-Channel 30-V (D-S) MOSFET (withSchottkyDiode) Si4370DY.
Рис. 1. MOSFET-транзисторы uPA2724UT1A
Рис. 2. Texas Instruments MOSFET CSD16321Q5C
Рис. 3. LowRDS(on) мосфеты K03В7 и K0393 (RJK0393DPA)
Рис. 4. MOSFET-транзисторы NTMFS4834N
Рис. 5. Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET (with Schottky Diode) Si4370DY