Алгоритм - Учебный центр
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Статьи

Стр. 143 из 145      1<< 140 141 142 143 144 145>> 145

Будут дисплеи для электронных книг?

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Будут дисплеи для электронных книг? Компания ЗАО "Пластик-Лоджик" намерена производить два типа продукции - дисплеи для электронных книг и экраны для гибких интернет-планшетов. Глава РОСНАНО показывал (тогда еще премьер-министру) Путину образец электронной книги именно с таким пластиковым дисплеем. Завод по выпуску пластиковых дисплеев в Калининграде приступил к массовому производству продукции уже в 2013-2014 годах. В мае 2012 года в Интернете было опубликовано сообщение со ссылкой на вице-президента британской компании Plastic Logic по вопросам технологического проектирования Питера Фишера о создании гибкого цветного пластикового дисплея диагональю 10 дюймов. Экран планшета имеет размер чуть меньше формата A4, содержит 1,2 миллиона пластиковых транзисторов. Разрешение экрана, способного отображать четыре тысячи цветов, составляет 75 точек на дюйм. Речь ид т о цветных экранах E Ink, которые совместили с гибкой подложкой на транзисторах из органических материалов.

ПРОГРАММИРОВАНИЕ ВВОДА-ВЫВОДА HDD НА ФИЗИЧЕСКОМ УРОВНЕ.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

ПРОГРАММИРОВАНИЕ ВВОДА-ВЫВОДА HDD НА ФИЗИЧЕСКОМ УРОВНЕ. Описание программы чтения сектора на физическом уровне для HDD (программа работает на уровне регистров и команд контроллера HDD).

Диагностика управляющей микросхемы ICE2A0565Z.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Диагностика управляющей микросхемы ICE2A0565Z. В качестве примера диагностики рассмотрим проверку управляющей микросхемы ICE2A0565Z, которая применяется в дежурном источнике системного блока Power Man IP-P350AJ2, представленном на рис.1. После всех начальных проверок - визуальных и с помощью приборов (тестера) - необходимо приступить к проверке управляющей микросхемы. На первом этапе необходимо прозвонить силовой внутренний транзистор на пробой. Для этого необходимо произвести замер сопротивления между контактами DRAIN (конт. 5) и ISENSE (конт. 3). При исправном состоянии микросхемы и отсутствия пробоя должно наблюдаться бесконечно большое сопротивление. Малое сопротивление указывает на его пробой и необходимость замены микросхемы. При измерениях сопротивления транзистора необходимо учитывать наличие встроенного демпферного диода. На следующем этапе диагностики необходимо выполнить функциональную проверку микросхемы, которая заключается в подаче на микросхему питающего напряжения и выявления осциллографом управляющего сигнала в первичной обмотке трансформатора.

Тенденции и перспективы систем хранения информации.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Тенденции и перспективы систем хранения информации. Чтобы конкурировать в быстро меняющейся экономике, предприятие должно уметь приспосабливать свою бизнес-модель к потребностям заказчиков, поставщиков и партнеров. Инвариантом всех этих изменений остаются данные. Сегодня доступность информации имеет более высокий приоритет, нежели эффективность либо оптимальность хранения. Однако доступность не всегда может быть обеспечена любой ценой, и проблема доступа к данным и их эффективного использования решается в комплексе средствами SRM. "Память - это самая важная часть информационных технологий. Сетевая инфраструктура обеспечивает доступ к информации, серверы - обработку и совместное ее использование, но память - это сердце и душа любой информационной системы. Если память подвергается разрушению и информация теряется, в остальных компонентах информационной системы исчезает необходимость - без информации система превращается в технологию" (Эван Моррис). Сама по себе система управления еще не решает все проблемы функционирования инфраструктуры хранения. Подобно зерну на элеваторе, данные периодически должны подвергаться ревизии. Администраторы должны уметь прогнозировать рост данных, планировать соответствующее масштабирование инфраструктуры и учитывать те изменения, которые могут спровоцировать увеличение потребностей в ресурсах хранения. Быстрый, бесперебойный и эффективный доступ к данным возможен лишь при правильном выборе архитектуры хранения и инструментов управления, а также неукоснительном следовании регламенту надзора за хозяйством SAN.

Технологии стандарта DDR4

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Технологии стандарта DDR4. Компания Rambus представила технологии стандарта DDR4, которые помогают в два раза увеличить скорость передачи данных по каждому контакту модуля памяти по сравнению с DDR 3 - до 4266 Мбит/с. Кроме того, будет значительно уменьшено напряжение питания для активного режима и режима ожидания, а также будет обеспечено обслуживание нескольких двухканальных модулей DIMM (Dual In-line Memory Module) на каждом канале памяти. Основные трудности на пути стандарта DDR4 в версии Rambus заключаются в лицензировании. У индустрии оперативной памяти уже есть негативный опыт по использованию памяти RDRAM, которая имела закрытую архитектуру. В результате даже Intel, основной партнер Rambus по этому проекту, отказался от технологии RDRAM в пользу более открытых, хотя и менее эффективных на тот момент технологий. Оперативная память следующего поколения, DDR4 SDRAM, как ожидается, сможет привнести в будущие серверные, настольные и мобильные платформы значительное увеличение производительности. Однако достижение новых рубежей быстродействия потребует радикальных изменений в топологии подсистемы памяти. Эффективная частота модулей DDR4 SDRAM составит от 2133 до 4266 МГц, что несколько выше предыдущих прогнозов (частоты до 2133 МГц смогут быть покрыты модулями DDR3 SDRAM). Перспективные модули памяти окажутся не только быстрее, но и экономичнее своих предшественников. Они будут использовать пониженное до 1,1-1,2В напряжение питания, а для энергоэффективной памяти штатным станет напряжение 1,05 В. Ожидается, что производителям чипов DRAM при изготовлении микросхем DDR4 SDRAM придется прибегать к использованию самых передовых производственных технологий. Фактический же массовый переход на использование DDR4 SDRAM прогнозировался на 2015 год. При этом необходимо иметь в виду, что экстремально высокие скорости работы памяти нового поколения потребуют внесения изменений в привычную структуру всей подсистемы памяти. Дело в том, что контроллеры DDR4 SDRAM смогут справиться лишь с единственным модулем в каждом канале. Это значит, что на смену параллельному соединению модулей памяти в каждом канале придет четко выраженная топология точка-точка (каждая установленная планка DDR4 будет задействовать разные каналы). Чтобы гарантировать высокие частоты спецификация DDR4 поддерживает только один модуль на каждый контроллер памяти. Это означает, что производителям потребуется увеличить плотность чипов памяти и создать более продвинутые модули. В то же время тайминги будут расти, хотя время доступа продолжит снижаться.

Шина Hyper-Transport 3.1 (AMD).

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Шина Hyper-Transport 3.1 (AMD). Предыдущая спецификация HyperTransport 3.0 имела пиковую пропускную способностью до 41,6 Гбайт/c. В стандарте была введена поддержка частот 1,8 ГГц, 2.0 ГГц, 2,4 ГГц, 2,6 ГГц, функции "горячего подключения", динамического изменения частоты шины и энергопотребления, динамического конфигурирования и других инновационных решений. Максимальное расстояние передачи данных без потери эффективности по шине HT 3.0 составляла 1 метр. Улучшена поддержка многопроцессорных конфигураций, добавлена возможность автоматического конфигурирования для достижения наибольшей производительности. Основные технические характеристики технологии Hyper-Transport HT 3.0 приведены

Графическое ядро процессоров Skyklake.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Графическое ядро процессоров Skyklake. Согласно имеющимся на текущий момент данным, графическое ядро Skyklake будет существовать в шести различных модификациях, которые получат числовые индексы из пятисотой серии: - HD Graphics 510 – GT1: один модуль, 12 исполнительных устройств; - HD Graphics 515 – GT1.5: один модуль, 18 исполнительных устройств; - HD Graphics 530 – GT2: один модуль, 24 исполнительных устройства; - HD Graphics 535 – GT3: два модуля, 48 исполнительных устройств; - Iris Graphics 540 – GT3e: два модуля, 48 исполнительных устройств и 64-Мбайт eDRAM-буфер; - Iris Pro Graphics 580 – GT4e: три модуля, 72 исполнительных устройства и 128-Мбайт eDRAM-буфер. Наращивая мощность графического ядра, Intel проявила большую заботу и о том, чтобы для его нужд хватало пропускной способности памяти даже в конфигурациях, лишённых дополнительной eDRAM-памяти. С одной стороны, в Skylake обновился контроллер памяти, и теперь он способен работать с DDR4 SDRAM, частота и пропускная способность которой заметно выше, чем у DDR3 SDRAM. С другой стороны, в GPU появилось новая технология Lossless Render Target Compression («направленное на рендеринг сжатие без потерь»). Её суть заключается в том, что все данные, пересылаемые между GPU и системной памятью, которая одновременно является и видеопамятью, предварительно сжимаются, разгружая таким образом полосу пропускания. Применённый алгоритм использует компрессию без потерь, при этом степень сжатия данных может достигать двукратного размера. Несмотря на то, что всякая компрессия требует задействования дополнительных вычислительных ресурсов, инженеры Intel утверждают, что внедрение технологии Lossless Render Target Compression увеличивает быстродействие интегрированного GPU в реальных играх на величину от 3 до 11 процентов. Упоминания заслуживают и некоторые другие усовершенствования в графическом ядре. Например, размеры собственной кеш-памяти в каждом модуле GPU были увеличены с 512 до 768 Кбайт. Благодаря этому, а также путём оптимизации архитектуры модулей разработчики смогли добиться почти двукратного улучшения скорости заполнения, что дало возможность не только поднять быстродействие GPU при включении полноэкранного сглаживания, но и добавить в число поддерживаемых режимов 16x MSAA.

Причины отказов мобильных компьютеров(статистика).

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Причины отказов мобильных компьютеров(статистика). В современных мобильных компьютерах применены технологии повышающие защиту от «человеческого фактора», так как по статистике он имеет очень большое влияние на долговечность и надежность работы ноутбуков. Около 30% пользователей, обращаются в сервисный центр из-за неисправности клавиатуры по причине проливания на нее жидкости (чай, кофе, пиво, и так далее), примерно 15% дефектов клавиатуры из-за излишних усилий, прилагаемых пользователем. Реже обращаются по причинам выхода из строя блоков питания (10%), из-за разбитой матрицы ноутбука(10%). Всего 5% составляют выходы из строя контроллеров USB-портов (как правило, это происходит с бюджетными моделями и является следствием отсутствия ключа защиты по питанию порта в стандартном чипсете материнской платы). Примерно 5% составляют сбои модулей памяти DDR и «битые» пиксели и кластеры; еще чуть реже из-за перегрева видеокарты происходит последующее замыкание на материнской плате (данная проблема возникает в ноутбуках, оборудованных дискретными видеокартами, на которых чипы видеопамяти расположены друг над другом и над видеопроцессором, разогретый припой может стечь на ножки GPU или на материнскую плату и привести к замыканию). Около 3% проблем составляет залитая жидкостью материнская плата (эта неисправность появляется, если пролитая на ноутбук жидкость не остановилась на уровне клавиатуры и проникла глубже в корпус). Иногда засоренная система охлаждения вызывает перегрев ноутбука (примерно 2% ). Причиной этого может быть множество различных обстоятельств: частая работа с ноутбуком на кровати, вязаная одежда и так далее. В результате разового перегрева, из-под радиатора вытекает термопаста и впоследствии этого, система охлаждения работает гораздо менее эффективно, и не обеспечивает стабильной работы системы. Перегрев ноутбука может произойти и из-за его работы в сумке (производители сумок обычно пишут в инструкции по эксплуатации, что ноутбук для работы необходимо извлечь из сумки). При работе в транспорте, во время резких встрясок, головки высокоскоростных винчестеров могут подниматься над пластиной и, опускаясь, оставлять царапины (2%). Еще около 1,5% составляют механические повреждения USB-портов в результате неаккуратного извлечения коннекторов из разъемов. Достаточно редко (0,7%) происходит «залипание» предохранителя аккумуляторной батареи при минимальном заряде. Это является следствием ложного срабатывания защиты от взрыва лития. Предохранитель блокирует процесс заряда батареи. Для решения проблемы требуется разобрать батарею и поменять элементы в цепи управления. При изменении угла наклона экрана или при его включении, сразу после открытия крышки случается периодическое пропадание изображения на экране ноутбука (всего 0,5%). Проблема чаще всего связана с одним из шлейфов, которыми подключается ЖК-матрица. Шлейф или провод перетёрся и замыкается на корпус, либо просто имеет плохой контакт, либо даже выпадает из гнезда подключения. Еще реже (0,4%) встречается отсутствие изображения на экране после включения ноутбука.

Основные параметры ЖК-мониторов.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Основные параметры ЖК-мониторов. Время отклика. Несмотря на то, что время отклика ячейки – далеко не самый важный показатель, чаще всего при выборе монитора покупатель обращает внимание только на этот фактор. Однако при выборе конкретной модели стоит обдуманно взвешивать все характеристики монитора. Этот показатель означает минимальное время, за которое ячейка жидкокристаллической панели изменяет цвет. Существуют два способа измерения скорости матрицы: black to black, чёрный-белый-чёрный, и gray to gray, между градациями серого. Эти значения очень сильно различаются. При изменении состояния ячейки между крайними положениями (чёрный-белый) на кристалл подаётся максимальное напряжение, поэтому он поворачивается с максимальной скоростью. Именно так получены значения в 8, 6, а иногда и 4 мс в характеристиках современных мониторов. При смещении кристаллов между градациями серого на ячейку подаётся намного меньшее напряжение, потому что позиционировать их нужно точно для получения нужного оттенка. Поэтому и времени для этого затрачивается намного больше (для матриц 16 мс – до 27-28 мс). Лишь недавно в конечных продуктах смогли воплотить достаточно логичный способ решения этой проблемы. На ячейку подаётся максимальное напряжение (или сбрасывается до нуля), а в нужный момент моментально выводится на нужное для удержания положения кристалла. Сложностью является чёткое управление напряжением с частотой, превышающей частоту развёртки. Кроме того, импульс нужно высчитывать с учётом начального положения кристаллов. Контрастность. Значение контрастности определяется по соотношению яркости матрицы в состоянии «чёрный» и «белый». Т.е. чем меньше засвечен чёрный цвет и чем выше яркость белого, тем выше контрастность. Этот показатель критичен для просмотра видео, изображений и, в принципе, для хорошего отображения любого изображения. Выглядит как, например, 250:1, т.е. яркость матрицы в «белом» состоянии – 250 кд/м 2, а в «чёрном» – 1 кд/м 2. Впрочем, такие значения возможны только в случае TN+film, для S-IPS среднее значение – 400:1, а для PVA – до 1000:1. Впрочем, заявленным в характеристиках монитора значениям стоит верить только с натяжкой, потому что это значение замеряется для матрицы, а не для монитора. И замеряется оно на специальном стенде, когда на матрицу подаётся строго стандартное напряжение, подсветка питается строго стандартным током и т.д.

Источники оптического излучения волоконно-оптических линий связи компьютерных сетей.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Источники оптического излучения волоконно-оптических линий связи компьютерных сетей. Важной частью волоконно-оптических линий связи (ВОЛС) являются источники оптического излучения. Светоизлучающие диоды (СД) и полупроводниковые излучатели когерентного света - лазерные диоды (ЛД) относятся к активным дискретным элементам волоконно-оптических линий связи. Светоизлучающие диоды в современных системах находят весьма ограниченное применение. Кроме того, к активным дискретным элементам относятся и полупроводниковые фотодиоды, в том числе лавинные фотодиоды. Передающие оптоэлектронные модули (ПОМ), применяемые в волоконно-оптических системах, предназначены для преобразования электрических сигналов в оптические, которые должны быть введены в волокно с минимальными потерями (рис.1). Промышленностью производятся различные ПОМ, отличающиеся по конструкции, а также по типу источника излучения. Одни ПОМ работают на телефонных скоростях с максимальным расстоянием до нескольких метров, другие передают сотни и даже тысячи мегабит в секунду на расстояния в несколько десятков километров.

Схемы фотодатчиков.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Схемы фотодатчиков. Бесконтактный оптический датчик, использующий пропадание луча Фотодиод является потенциально широкополосным прием¬ником. Этим обуславливается его повсеместное применение и популярность. Принцип работы фотодатчиков в принтерах и копировальных аппаратах такой же, как у фотореле. Оптический излучатель создает луч, на расстоянии от него фотоприемник принимает луч. Как только луч пропадает — кто-то пересекает барьер, например «флажок», поднятый движущимся листом бумаги — срабатывает схема автоматики (рис. 1). На этой основе создаются дат¬чики для различных расстояний. Существуют датчики, улавливающие ИК излучение или обычный дневной свет. Принцип работы у них один и тот же.

Терморезисторы.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Терморезисторы. В отечественных разработках и зарубежных копирах широко используются мощные терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом. Свойство такого терморезистора при нагревании от протекающего через него тока значительно уменьшать (в сотни раз) свое сопротивление позволяет выполнить защиту электронных элементов схемы от перегрузок (в том числе в высоковольтных цепях с напряжением до 400 В) в момент включения. Такое схемное решение способствует уменьшению пусковых токов в активной нагрузке — лампах накаливания, кинескопах, электромоторах, трансформаторах, импульсных источниках питания, снижая импульсную перегрузку и позволяя увеличить срок службы электронных устройств в 5... 10 раз (лампы накаливания). Такая идея не является новой, достаточно внимательно проанализировать применяемые в отечественном промышленном производстве схемы защиты дорогостоящих устройств и компонентов. Терморезисторы также применяются в качестве датчиков температуры и в цепях постоянного и переменного тока (частотой до 5 МГц) для температурной компенсации элементов, например, в современных усилителях мощности. В рабочем состоянии терморезисторы могут нагреваться до температуры 200°С. При использовании терморезистора для ограничения пусковых токов его включают последовательно с нагрузкой, и нагревание термистора происходит за счет проходящего в цепи тока (см. рис. 1).

Стр. 143 из 145      1<< 140 141 142 143 144 145>> 145

Лицензия