Алгоритм - Учебный центр
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Статьи

Стр. 143 из 158      1<< 140 141 142 143 144 145 146>> 158

Архитектура Kaby Lake (Intel).

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Архитектура Kaby Lake (Intel). Согласно планам Intel, в мобильной сфере на смену Skylake придёт новая архитектура Kaby Lake (в третьем квартале текущего года и несколько позднее — в настольном секторе). А вот 10-нм чипов Cannonlake придётся ждать ещё год: они тоже появятся в третьем квартале, но в 2017 году. Платформа Skylake дебютировала в третьем квартале 2015 года и была приурочена к выпуску новой операционной системы Microsoft Windows 10. Сейчас есть огромное количество решений на базе Skylake, от сверхэкономичных до оверклокерских, но в случае с Cannonlake Intel планирует ещё более увеличить масштабируемость платформы: базовые принципы архитектуры будут одними и теми же у самых экономичных процессоров с теплопакетом 4,5 ватта и у мощных серверных Xeon для многопроцессорных систем. Сейчас Intel, несомненно, доминирует на рынке производительных процессоров, но, согласно имеющимся данным, компания хочет начать обновление процессорных линеек уже в третьем квартале этого года. Мобильная версия Kaby Lake будет представлена в составе ноутбуков, ультрабуков и решений класса «два в одном». Как мобильные, так и настольные процессоры Kaby Lake (рис. 1,2) будут иметь несколько линеек: Kaby Lake U, Kaby Lake Y, Kaby Lake H и Kaby Lake S. Не исключены и иные варианты, такие как Skylake-C (см. табл. 1).

3D XPoint - новый тип памяти.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

3D XPoint - новый тип памяти. Компании Intel и Micron совместными усилиями создали новый тип системы хранения данных, который в одну тысячу раз быстрее самой передовой памяти NAND Flash. Новый тип памяти, получивший название 3D XPoint, показывает скорости чтения и записи в тысячу раз превышающие скорость обычной памяти NAND, а также обладает высокой степенью прочности и плотности. Новая память в десять раз плотнее чипов NAND и позволяет на той же физической площади сохранять больше данных и при этом потребляет меньше питания. Intel и Micron заявляют, что их новый тип памяти может использоваться как в качестве системной, так и в качестве энергозависимой памяти, то есть, другими словами, ее можно использовать в качестве замены как оперативной RAM-памяти, так и SSD. В настоящий момент компьютеры могут взаимодействовать с новым типом памяти через интерфейс PCI Express, однако Intel говорит, что такой тип подключения не сможет раскрыть весь потенциал скоростей новой памяти, поэтому для максимальной эффективности памяти XPoint придется разработать новую архитектуру материнской платы.

Графическое ядро в микроархитектуре Haswell.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Графическое ядро в микроархитектуре Haswell. Одно из основных нововведений в микроархитектуре Haswell — это новое графическое ядро c поддержкой DirectX 11.1, OpenCL 1.2 и OpenGL 4.0. Но самое главное, что графическое ядро в микроархитектуре Haswell масштабируемое. Существуют варианты графического ядра с кодовыми названиями GT3, GT2 и GT1. Ядро GT1 будет иметь минимальную производительность, а GT3 — максимальную. В графическом ядре GT3 появится второй вычислительный блок, за счет чего удвоится количество блоков растеризации, пиксельных конвейеров, вычислительных ядер и сэмплеров. Ожидается, что GT3 будет вдвое производительнее GT2. Ядро GT3 содержит 40 исполнительных блоков, 160 вычислительных ядер и четыре текстурных блока. Для сравнения напомним, что в графическом ядре Intel HD Graphics 4000 процессоров Ivy Bridge содержится 16 исполнительных устройств, 64 вычислительных ядра и два текстурных блока. Поэтому, несмотря на приблизительно одинаковые тактовые частоты их работы, графическое ядро Intel GT3 превосходит своего предшественника по уровню производительности. Кроме того, ядро GT3 имеет более высокую производительность благодаря интеграции памяти EDRAM (в ядре GT3e) в упаковку процессора. Ядро GT2 содержит 20 исполнительных блоков, 80 вычислительных ядер и два текстурных модуля, а ядро GT1 — только 10 исполнительных блоков, 40 вычислительных ядер и один текстурный модуль. Сами исполнительные блоки имеют по четыре вычислительных ядра наподобие тех, что используются в архитектуре AMD VLIW4.

Новое графическое ядро Iris Pro Graphics 580 (GT4e).

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Новое графическое ядро Iris Pro Graphics 580 (GT4e). Iris Pro Graphics 580 – GT4e: 72 исполнительных устройства, 128 Мбайт eDRAM, производительность до 1152 ГФлопс на частоте 1 ГГц. Новое графическое ядро Iris Pro Graphics 580 (GT4e) — имеет 72 потоковых процессора. Вычислительная производительность Iris Pro Graphics 580 составляет более 1,1 Тфлопс (триллиона операций с плавающей точкой в секунду) в зависимости от тактовой частоты. Графический процессор Iris Pro Graphics 580 имеет обновлённый мультимедийный движок, который поддерживает аппаратное декодирование и кодирование Ultra HD-видео с использованием кодеков HEVC и VP9. Современные графические ядра, применяемые в процессорах Broadwell и Skylake и относящиеся к классам Iris и Iris Pro предлагают вполне достаточную для массовых игровых систем производительность. Конечно, здесь имеется в первую очередь способность интелловской интегрированной графики нормально работать в казуальных и несложных в графическом плане сетевых играх. За последние пять лет производительность интегрированной графики выросла в 30 раз. Современные интелловские графические ядра способны предложить весьма впечатляющую теоретическую производительность. В таблице 1 приведена теоретическая мощность распространённых графических решений в сравнении с графикой процессоров Skylake в старших версиях GT4 и GT3.

«Универсальный» загрузочный диск (для ПК с поддержкой и без поддержки стандарта UEFI).

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Диски, использующие GPT, в нулевом секторе по-прежнему могут содержать обычную главную загрузочную запись (MBR), используемую для загрузки с этого диска операционной системы в том случае, если компьютер не соответствует спецификации UEFI. Если возможность загрузки с таких компьютеров не требуется, вместо обычной («унаследованной» или «традиционной» — legacy, как называет её спецификация UEFI) MBR в нулевом секторе находится защитная MBR, предотвращающая уничтожение информации на диске при попытке использования с ним операционных систем и дисковых утилит, не умеющих работать с GPT. Оба варианта MBR имеют одинаковый формат, полностью соответствующий традиционной MBR. В защитной MBR, однако, код начального загрузчика не используется, поскольку загрузка с такого диска может выполняться только на компьютерах, удовлетворяющих спецификации UEFI, и осуществляется не так, как на компьютерах без поддержки UEFI.

Волоконно-оптические технологии обеспечат эффективные внутренние и внешние соединения при разработке компьютеров следующего поколения.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Волоконно-оптические технологии обеспечат эффективные внутренние и внешние соединения при разработке компьютеров следующего поколения. Еще в 2006 году исследователи корпорации Intel представили уникальное устройство - первый в мире гибридный кремниевый лазер, работающий на базе обычного электрического напряжения, для изготовления которого использовались стандартные производственные процессы. Это делает возможным создание недорогих устройств на основе кремниевой фотоники, обладающих высокой пропускной способностью. Такие компоненты обеспечат эффективные внутренние и внешние соединения при разработке компьютеров следующего поколения. Ученым удалось объединить светоизлучающие способности фосфида индия со свойством кремния проводить свет и создать единый гибридный кристалл. При приложении напряжения свет генерируется элементами из фосфида индия и передается по кремниевому световоду, образуя непрерывный лазерный луч. Эта технология позволяет значительно снизить себестоимость за счет использования стандартных производственных процессов, применяемых в современной полупроводниковой индустрии. Появилась возможность создавать недорогие оптические шины с терабитовой пропускной способностью. Всего на одной кремниевой микросхеме можно будет разместить десятки, и даже сотни, гибридных кремниевых лазеров, а также других компонентов на базе кремниевой фотоники, что будет способствовать крупномасштабному проникновению оптических технологий в кремниевые платформы. Наступает эра микросхем на базе кремниевой фотоники с высокой степенью интеграции. В настоящее время исследования направлены на создание оптоэлектронных устройств с пропускной способностью на уровне 160 Гбит/с. Главным новшеством в предложенной конструкции гибридного кремниевого лазера является применение материала на основе фосфида индия для излучения и усиления света, кремниевого световода, для передачи света, а также управления лазером. При изготовлении таких устройств используется низкотемпературная кислородная плазма для создания тонкой пленки окиси (толщиной около 25 атомов) на поверхностях обоих материалов. Если их нагреть и прижать друг к другу, слой окиси выполняет функции "прозрачного клея", обеспечивая сплавление этих материалов в единую систему. В момент приложения напряжения свет, излучаемый материалом на основе фосфида индия, проходит через слой окиси и попадает в кремниевый световод. Конструкция последнего имеет весьма существенное значение для обеспечения прозрачности для длины волны такого лазера. Гибридный лазер преодолел последний барьер на пути массового внедрения оптоэлектронных устройств на базе кремния. Гибридный лазер интегрирован с подложкой чипа и стал массовым устройством еще в 2011 году. Над решением подобных проблем активно работают исследователи ведущих производителей чипов, и одной из первых компаний, о получении реального результата сообщила японская корпорация NEC, которая разработала новую технологию оптического межсоединения. Компания разработала базовую технологию, обеспечивающую возможность оптического соединения элементов LSI-чипа. Технология предполагает использование микрофотодиода, изготовленного на кремниевой подложке, миниатюрной усилительной схемы, оптического модулятора, волноводов и других элементов. Основной составной частью схемы является именно микрофотодиод, который обеспечивает чрезвычайно высокую реакцию на импульсы на частоте свыше 50 ГГц, и работает при напряжении смещения от 0 до +1 В. Усилительная схема имеет размеры всего несколько квадратных микрометров, что в тысячи раз меньше, нежели усилители напряжения, которых они призваны заменить.

Архивирование электронной почты.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Архивирование электронной почты. К наиболее популярным решениям архивирования относятся специальные решения для систем обработки электронной почты. Причина очевидна: трафик электронной почты давно стал неотъемлемой частью деловой коммуникации. Во многих случаях электронные письма представляют собой документы, которые в качестве составной части контрактов рассматриваются как юридически значимые. Поэтому предприятия должны заботиться о том, чтобы все важные для них электронные письма хранились в соответствии с правовыми предписаниями в течение длительного времени и оставались доступными. Благодаря высокопроизводительным функциям индексации и поиска системы архивирования электронной почты необходимые данные можно быстро найти и предоставить по требованию. Механизм однократного сохранения следит за тем, чтобы вложения в электронные письма сохранялись лишь один раз, даже если они направлялись большому количеству сотрудников. Еще больше места экономят решения, поддерживающие дедупликацию на байтовом уровне. Между тем большинство производителей уже реализовали правила хранения, которые, к примеру, позволяют автоматически переписывать электронные письма и вложения на более дешевые носители и полностью удалять их из системы на основе таких критериев, как возраст, размер или тип файла. Архивация электронной почты - это технология, позволяющая организовать архив сообщений электронной почты так же, как если бы речь шла о традиционной бумажной корреспонденции. Вы сможете поместить электронные письма в защищенный архив, определить права доступа, задать цикл хранения (рис. 1). В дополнение к этому можно воспользоваться преимуществами работы с электронными документами - индексировать содержимое и осуществлять быстрый поиск. Высокая производительность, сокращение издержек, соответствие государственным нормативам, в том числе законам "Об архивном деле в РФ", "Об информации, информационных технологиях и о защите информации" - вот серьезные аргументы в пользу выбора решений по архивированию и хранению электронной почты.

Нанотехнологии. Новые достижения и возможные угрозы.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Нанотехнологии. Новые достижения и возможные угрозы. Что нам готовят нанотехнологии? В печатных источниках сообщается, что на основе нанотехнологий могут быть созданы товары и продукты, применение которых позволит кардинально изменить целые отрасли экономики. К их числу относятся наносенсоры для идентификации токсичных отходов химической и биотехнологической промышленности, наркотиков, боевых отравляющих веществ, взрывчатки и патогенных микроорганизмов, а также нанофильтры и прочие очистные устройства, предназначенные для их удаления или нейтрализации, электрические магистральные кабели на углеродных нанотрубках, автомобильные каталитические конвертеры, очищающих выхлопы от вредных примесей и многое другое. Общемировые затраты на нанотехнологические проекты сейчас превышают $9-12 млрд. в год (на долю США приходится около 1/3 всех мировых инвестиций в нанотехнологии). Активные исследования в этой сфере ведутся в Евросоюзе и Японии, а также в странах бывшего СССР, Австралии, Канаде, Китае, Южной Корее, Израиле, Сингапуре, Бразилии и Тайване. По прогнозам, к 2017 году общая численность персонала различных отраслей нанотехнологической промышленности составит примерно 2,5 млн. человек, а суммарная стоимость товаров, производимых с использованием наноматериалов, прогнозируется от несколько сотен миллиардов долларов и до $1 трлн. Нанотехнологии принято делить на три типа. Промышленное применение наночастиц в красках для автомобилей и автокосметике - пример "инкрементных" нанотехнологий. "Эволюционные" нанотехнологии представлены наномерными датчиками, использующими флуоресцентные свойства квантовых точек (диаметром от 2 до 10 нанометров) и электрические свойства углеродных нанотрубок (диаметром от 1 до 100 нанометров), хотя эти разработки пока находятся в зачаточном состоянии. "Радикальные" нанотехнологии пока что не встречаются, их можно увидеть только в фантастических фильмах. Стоит также ожидать сближения этих трех технологий. Однако переход от опытного производства в лаборатории к массовому сопровождается значительными проблемами, а надежную обработку материалов в наномасштабе (требуемым образом) все еще очень трудно реализовать с экономической точки зрения. В настоящее время наноматериалы уже используют для изготовления защитных и светопоглощающих покрытий, спортивного оборудования, транзисторов, светоиспускающих диодов, топливных элементов, лекарств и медицинской аппаратуры, материалов для упаковки продуктов питания, косметики и одежды. Нанопримеси на основе оксида церия уже сейчас добавляют в дизельное топливо, что позволяет на 4-5 % повысить КПД двигателя и снизить степень загрязнения выхлопных газов. В общей сложности, мировая промышленность сейчас применяет нанотехнологии в процессе производства, как минимум, 80 групп потребительских товаров и свыше 600 видов сырьевых материалов, комплектующих изделий и промышленного оборудования. В США одни только федеральные ассигнования на нанотехнологические программы и проекты постоянно увеличиваются и измеряются в млрд. долларов. Американские корпорации активно занимаются исследованиями в области нанотехнологий (нанолаборатории создали такие корпорации, как HP, NEC и IBM, университеты и власти отдельных штатов). Перспективным направлением в сфере нанотехнологий является создание электрических магистральных кабелей на углеродных нанотрубках, которые будут проводить ток высокого напряжения лучше медных проводов и при этом весить в пять-шесть раз меньше. Наноматериалы позволят многократно снизить стоимость автомобильных каталитических конвертеров, очищающих выхлопы от вредных примесей, поскольку с их помощью можно в 15-20 раз снизить расход платины и других ценных металлов, которые применяются в этих приборах.

Диагностирование микросхемы AT2005B.

Статья добавлена: 03.04.2019 Категория: Статьи

Диагностирование микросхемы AT2005B. Диагностика микросхемы AT2005B (рис. 1,2) мало чем отличается от классического варианта диагностирования любого ШИМ-контроллера. В общем случае диагностирование можно разделить на несколько этапов. На первом этапе необходимо сделать полный визуальный контроль состояния микросхемы. Особо стоит обратить внимание на корпус микросхемы, нередки случаи, когда выход из строя микросхемы сопровождается разрушением ее корпуса, изменением цвета корпуса и печатной платы в том месте, где расположена микросхема. Далее в процессе диагностики необходимо с помощью обычного тестера прозвонить все силовые выводы и управляющие выводы микросхемы на короткое замыкание, к таковым можно отнести: -контакты, через которые осуществляется питание микросхемы; -контакты, по которым осуществляется контроль выходных напряжений блока питания (+3,3В, +5Ви +12В); -контакты, на которых формируются выходные управляющие выводы для силового каскада. Наличие малых сопротивлений (единицы и десятки Ом) между названными контактами и общим контактом (GND) указывает на необходимость замены микросхемы или более детального ее диагностирования и обследования сопутствующих цепей ее обвязки. Стоит отметить, что возникновение пробоев по указанным контактам, как правило, приводит к большим токам через микросхему, что является причиной срабатывания цепей защиты в первичных силовых цепях инвертора и дополнительного дежурного источника питания, а в случае их несрабатывания к сильному разогреву, разрушению или потемнению корпуса микросхемы. Следующие этапы диагностики подразумевают измерение сигналов на выводах микросхемы. Для этого потребуется лабораторный источник питания, тестер, осциллограф. От внешнего источника питания на микросхему, а именно на вывод питания, необходимо подать напряжение питания +5 В. При этом в момент включения необходимо проконтролировать появление пилообразного напряжения питания на выводе подключения частотозадающего конденсатора (конт.8). Далее можно проверить исправность выходного каскада микросхемы. Для этого необходимо имитировать наличие сигнала удаленного включения PSON, соединив вывод 11 микросхемы с общим проводником (GND). Одновременно нужно проконтролировать кратковременное появление управляющих прямоугольных сигналов на выводах 9 и 10. Продолжительность появления сигналов составляет время не более одной секунды, далее импульсы исчезают по причине срабатывания блокировки от КЗ в выходных шинах (+З,ЗВ, +5В, +12В), т.к. выходных напряжений как таковых нет. Заключительный этап диагностики микросхемы подразумевает проверку практически всех ее функциональных блоков (рис. 2).

Технология LCD.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Технология LCD. Технология LCD использует особые свойства группы прозрачных химических соединений со скрученными молекулами, которые называют жидкими кристаллами. Скрученные молекулы меняют поляризацию света, проходящего сквозь них. В ЖК-индикаторе поляризационный светофильтр создает две раздельные световые волны. Поляризационный светофильтр пропускает только ту световую волну, у которой плоскость поляризации параллельна его оси. Располагая в ЖК-индикаторе второй светофильтр так, чтобы его ось была перпендикулярна оси первого, можно полностью предотвратить прохождение света (экран будет темным). Вращая ось поляризации второго фильтра, т.е. изменяя угол между осями светофильтров, можно изменить количество пропускаемой световой энергии, а значит, и яркость экрана. Эти свойства и используются при разработке дисплеев, в которых кристаллы управляют количеством света, проходящего через них. Свет генерируется источником подсветки и проходит через поляризационный фильтр. Если такой кристалл не находится под действием электрического поля, то после прохождения света его поляризация меняется (на 90 градусов в дисплеях Twisted Nematic - т. е. TN, а в системах Scan Twisted Nematic или STN на 180-270°, за счет чего у последних несколько выше яркость и контрастность изображения). Так как поляризаторы, расположенные на входе и выходе (того же TN), смещены друг относительно друга также на 90 градусов, то свет может беспрепятственно проходить через жидкокристаллическую среду. Если же к прозрачным электродам приложено напряжение, спираль молекул распрямляется (они ориентируются вдоль поля). Поворота плоскости поляризации уже не происходит, и, как следствие, выходной поляризатор не пропускает свет. Таким образом получают темный сегмент на светлом фоне, и наоборот в монохромных дисплеях. Если несколько изменить конструкцию элемента (используя зеркало на выходе второго поляризатора), то темный или светлый сегмент можно увидеть и в отраженном свете. Примером в данном случае может служить индикатор наручных часов. Управление яркостью. В ЖК-экранах как с активной, так и с пассивной матрицами, второй поляризационный светофильтр управляет количеством света, проходящим через ячейку.

Проблемы узлов фиксации принтеров - сползание термопленки.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Проблемы узлов фиксации принтеров - сползание термопленки. Правильно отрегулированный и настроенный узел закрепления лазерного принтера является залогом долговечной и надежной работы печатающего устройства. К сожалению, большой процент неисправностей связан с блоком закрепления, а точнее, с выходом из строя термопленки. В данной статье рассматривается одна из самых распространенных неисправностей - сползание пленки в сторону, и, как следствие, это приводит к выходу ее из строя. Довольно часто в принтерах, узел закрепления которых реализован на ТЭНе и термопленке (см. рис. 1), встречается неисправность, которая проявляется в виде сползания термопленки с нагревательного элемента, и, как следствие, это приводит к выходу ее из строя. Термопленка рвется с одной стороны, при этом видно, что она порвалась не в процессе неправильной эксплуатации, а за счет трения об ограничительный выступ упора. Предшествуют данной неисправности такие проявления при печати, как: - плохое качество закрепления изображения с одной строны (тонер - порошок осыпается с листа в месте плохого прогрева); - периодические замятия листа бумаги в блоке фиксации, так как из-за малого давления лист проскальзывает, скорость его подачи замедляется, и система контроля за прохождением листа определяет его застревание; - лист бумаги выходит из принтера со складками на одной стороне, обычно снизу слева или справа; - наблюдается в период эксплуатации более быстрый износ прижимного резинового вала (расслоение, деформация); - наблюдается в период эксплуатации выход подшипников (бушингов) валов с одной из сторон узла закрепления.

Сканеры в МФУ и копирах.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Сканеры в МФУ и копирах. Сканирование изображения происходит следующим образом. Оригинал располагается на прозрачном неподвижном стекле, вдоль которого передвигается сканирующая каретка с источником света. Оптическая система сканера, которая состоит из объектива и зеркал или призмы, проецирует световой поток от сканируемого оригинала на приемный элемент, осуществляющий разделение информации о цветах - три параллельных линейки из равного числа отдельных светочувствительных элементов, принимающие информацию о содержании "своих" цветов. В трехпроходных сканерах используются лампы разных цветов или же меняющиеся светофильтры на лампе или CCD-матрице. Приемный элемент преобразует уровень освещенности в уровень напряжения. Далее, после возможной коррекции и обработки, аналоговый сигнал поступает на аналого-цифровой преобразователь (АЦП). С АЦП информация выходит уже в двоичном виде и, после обработки в контроллере сканера через интерфейс с компьютером поступает в драйвер сканера - обычно это так называемый TWAIN-модуль, с которым уже взаимодействуют прикладные программы. Источником света в сканерах является обычная флуоресцентная лампа. Недостаток - слабая стабильность характеристик освещения и ограниченный срок службы. В современных моделях используется лампа с холодным катодом, имеющая лучшие параметры и значительно больший срок службы. В оптической системе световой поток от оригинала проецируется на матрицу CCD (прибор с зарядовой связью), которая преобразует его в электрический сигнал. Обычно используется один фокусирующий объектив (или линза), который проецирует полную ширину области сканирования на полную ширину матрицы CCD. Важным параметром сканера является его разрешение, которое можно разделить на оптическое разрешение, механическое разрешение, физическое разрешение и интерполяционное.

Стр. 143 из 158      1<< 140 141 142 143 144 145 146>> 158

Лицензия