Алгоритм - Учебный центр

Версия сайта для слабовидящих
Заполните форму ниже! Мы вам перезвоним!

Нажав на кнопку "Отправить", Я даю своё согласие на автоматизированную обработку указанной информации, распространяющейся на осуществление всех действий с ней, включая сбор, передачу по сетям связи общего назначения, накопление, хранение, обновление, изменение, использование, обезличивание, блокирование, уничтожение и обработку посредством внесения в электронную базу данных, систематизации, включения в списки и отчетные формы.


Статьи

Стр. 192 из 213      1<< 189 190 191 192 193 194 195>> 213

Переключение микропроцессоров Intel в защищенный режим и из защищенного режима в реальный.

Статья добавлена: 20.02.2020 Категория: Статьи

Переключение микропроцессоров Intel в защищенный режим и из защищенного режима в реальный. Микропроцессоры фирмы Intel, начиная с i80286 и до последних включительно, способны работать в двух основных режимах: защищенном и реальном. В реальном режиме возможности микропроцессора существенно ограничиваются: сокращается до 1 Мбайт объем адресуемой памяти, исключаются основные механизмы защиты, не реализуется страничная организация памяти и многозадачное функционирование системы. Наиболее полно возможности микропроцессоров реализуются при работе в защищенном режиме. Наиболее полно возможности микропроцессоров реализуются при работе в защищенном режиме: обеспечивается физическая адресация памяти объемом до 236 = 64 Гбайт и доступ к виртуальной памяти объемом до 64 Тбайт. Кроме того, обеспечивается защита пользовательских программ друг от друга и от операционной системы, предотвращающая несанкционированное вмешательство в их работу. В защищенном режиме используется, защита памяти, сегментация памяти, страничная организация памяти, многозадачность. Помимо сегментации памяти в защищенном режиме может быть реализована ее страничная организация. Этот режим позволяет использовать дополнительные команды, введенные для поддержки многозадачных операционных систем, и позволяет более экономно использовать оперативную память в мультипрограммном режиме. Переключение процессора в защищенный режим осуществляется программным путем записью единицы в бит PE (0-й разряд регистра процессора CR0 (MSW)) с помощью команды MOV или LMSW. Обратный переход в реальный режим теперь возможен только с помощью команды MOV записью в бит PE нуля. Перед переключением процессора в защищенный режим необходимо, в реальном режиме, в оперативной памяти создать GDT, LDT, IDT, загрузить в регистры процессора необходимую для работы в защищенном режиме управляющую информацию, так как без этого переключение процессора в защищенный режим не имеет смысла.

Аутентификация. Современные требования к защите информации.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Аутентификация. Современные требования к защите информации. Для обеспечения защиты информации необходимо решить всего три проблемы для трафика беспроводной сети: - конфиденциальность (данные должны быть надежно зашифрованы); - целостность (данные должны быть гарантированно не изменены третьим лицом); - аутентичность (уверенность в том, что данные получены от правильного источника). Рассмотрим, например, каким образом решает эти проблемы фирма Cisco Systems. Как и некоторые другие разработчики, компания Cisco Systems использует для аутентификации в своих устройствах (коммутаторах и маршрутизаторах) протоколы EAP-TLS и PEAP, но подходит к проблеме более "широко", предлагая для своих беспроводных сетей, наряду с указанными, еще и ряд других протоколов: - Extensible Authentication Protocol - Transport Layer Security (EAP-TLS) - это стандарт IETF, который обеспечивает аутентичность путем двустороннего обмена цифровыми сертификатами; - Protected EAP (PEAP) - пока предварительный стандарт (draft) IETF. Он предусматривает обмен цифровыми сертификатами и дополнительную проверку имени и пароля по специально созданному шифрованному туннелю; - Lightweight EAP (LEAP) - фирменный протокол Cisco Systems. "Легкий" протокол взаимной аутентификации, похожий на двусторонний Challenge Authentication Protocol (CHAP). Использует разделяемый ключ, поэтому требует определенной разумности при генерации паролей. В противном случае, как и любой другой способ PreShared Key, подвержен атакам по словарю; - EAP - Flexible Authentication via Secure Tunneling (EAP-FAST) - разработан Cisco на основании предварительного стандарта (draft) IETF для защиты от атак по словарю и имеет высокую надежность. Требует от администратора минимума усилий для поддержки. Принцип его работы схож с LEAP, но аутентификация проводится по защищенному туннелю. Поддерживается, начиная с версий ПО IOS 12.2(11)JA, VxWorks 12.01T, Cisco Secure ACS 3.2.3.

Общая методика и рекомендации по ремонту источников питания персональных компьютеров.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Общая методика и рекомендации по ремонту источников питания персональных компьютеров. Источник питания представляет собой достаточно сложное радиоэлектронное устройство, ремонт которого можно осуществлять, только зная принципы его построения и работы (и естественно, владея навыками нахождения и устранения дефектов в радиоэлектронных устройствах). При ремонте рекомендуется комплексное использование всех доступных способов поиска неисправностей. Необходимо помнить, что источник импульсного питания не работает без нагрузки, подсоединение к сети должно происходить только через развязывающий трансформатор и помните, что лабораторный автотрансформатор (ЛАТР) развязывающим трансформатором не является. Практика показывает, из всех элементов системного блока персонального компьютера (ПК) наибольшее число отказов приходится на блоки питания. Наибольшее число отказов блоков питания обычно связано с «человеческим фактором» т. е. с неисправностями, к которым относится ошибочное подключение напряжения питания, включение блока в сеть с неправильно установленным переключателем напряжения питания (переключатель установлен на 115В, а включается блок питания в сеть 220В, а в результате взрыв конденсаторов низкочастотного фильтра, сгоранием термистора, предохранителя). Поэтому перед первым включением источника питания обратите внимание на положение переключателя типа питающей сети (рекомендуется сразу адаптировать аппарат под нашу сеть, исключив (методом выпаивания) все элементы, влекущие возможность ошибочного включения источника). Всегда любой ремонт начинается с очень внимательного предварительного внешнего осмотра ремонтируемого объекта. В большинстве случаев это позволяет отремонтировать блок питания даже при отсутствии достаточной информации. При осмотре необходимо обращать внимание на исправность предохранителей и на любое изменение внешнего вида элементов электрической схемы (цвета корпуса элемента, вздутость корпуса, обрывы соединений и др.). При определении неисправного элемента следует обратить внимание на исправность всех элементов, подключенных именно к этой цепи. Ремонт следует проводить технически исправными приборами, с использованием низковольтных паяльников, питающихся через разделительный трансформатор. Нежелательно производить ремонт без развязывающего трансформатора и нагрузки. Для блока питания мощностью 200 Вт рекомендуется использовать для источника питания +5 В нагрузку сопротивлением 4,8 Ом (50 Вт), а для источника +12В нагрузку 14 Ом (12 Вт), в качестве достаточной нагрузки источника питания по каналу +12В могут быть использованы автомобильные лампочки на 12 В.

Память DDR3

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Память DDR3 Для ускорения обмена с памятью разработчиками использовались различные методы и средства ускорения операций обмена: режим FPM, чередование банков памяти, обмен с конвейеризацией, пакетный обмен, использовалась и быстродействующая кэш-память. Применялись и новые типы микросхем памяти: EDO-DRAM, BEDO, RDRAM, SDRAM, DDR, DDR2 и наконец, DDR3. Наиболее приоритетным направлением развития технологии оперативной памяти DDR SDRAM уже который год подряд являлось дальнейшее увеличение ее пропускной способности (напрямую зависящей от ее тактовой частоты) и снижение задержек. На втором месте по важности - уменьшение ее энергопотребления и, наконец, на третьем - увеличение емкости отдельных компонентов (микросхем) и модулей памяти в целом. Диапазон пропускной способности памяти DDR3 выглядит весьма внушительно - от 12.8 ГБ/с для DDR3-800 (в двухканальном режиме) до 25.6 ГБ/с для DDR3-1600. Двухканальный модуль памяти Phoenix Turbo Immortality Edition DDR3-1600 4 ГБ поднимает производительность персонального компьютера на совершенно новый уровень, память DDR3-1600 имеет вдвое большую пропускную способность, чем DDR2-800. Некоторые производители памяти уже предлагают серийные модули DDR3-2000 с таймингами 9-8-8-24, работающие при напряжении свыше 2.0 В, а компания Intel хочет сертифицировать DDR3-2133 (такие модули памяти выполнены на шестислойных печатных платах, и оснащены пассивными радиаторами). При этом комплекты DDR3-2133 объёмом 2 х 1 Гб снабжаются пожизненной гарантией (но цены на DDR3, по информации источников должны быть, в среднем, пока на 50% выше, чем у DDR2). Задержки памяти DDR3, будут предсказуемо выше, чем у DDR2. Еще одним преимуществом DDR3 должно стать заметно уменьшенное по сравнению с DDR2 энергопотребление.

Аэрозольные химические препараты применяемые при обслуживании устройств компьютерной техники.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Аэрозольные химические препараты применяемые при обслуживании устройств компьютерной техники. В процессе эксплуатации для обеспечении работоспособности компонентов персональных компьютеров и их периферийных устройств, а также при ремонте широко используют самые различные химикаты. Одним из самых современных и удобных методов доставки химического вещества к конкретному месту его "воздействия" в устройстве, является нанесение его путем локального распыления с последующим испарением переносящего химического вещества (или, иначе говоря, использование их в виде аэрозолей). На российский рынок поставляется обширная гамма химических реагентов, используемых при работе с компонентами электронных схем, персональных компьютеров и их периферийных устройств в виде аэрозолей. Всех их которую можно разделить на несколько групп по их функциональному назначению: - чистящие средства - препараты по обработке контактов, - смазочные и защитные препараты, - средства для создания токопроводящих и защитных покрытий, - препараты специального назначения (см. табл. 1).

Технологическое оборудование необходимое для процесса заправки картриджей

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Технологическое оборудование необходимое для процесса заправки картриджей. Для процесса заправки картриджей копиров необходимо соответствующее технологическое оборудование (см. табл. 1), например, необходима «Рабочая станция очистки картриджей SCC» (Cartridge Cleaning WorkStation™ ). Эта рабочая станция (рис. 1) имеет замкнутый цикл работы, она оборудованная двумя фильтрами патронного типа (стандартные фильтры) и одним НЕРА фильтром. Для работы станции необходима однофазная сеть переменного тока (4,4 кВт.), напряжение сети 220 и подводка сжатого воздуха (для работы станции необходима подача сжатого воздуха в объеме 0,054м3 в минуту при давлении 6,8 атм.) Основные характеристики и особенности рабочей станции: Габариты 1,6 х 1,2 х 0,73 м; эффективность фильтрации 99,997% для частиц размера 0,3 мкм; ресурс верхнего фильтра тонкой очистки 4000 часов. Последовательные методы очистки: прямой сброс тяжелых фракций тонера в приемник отходов; очистка воздуха с помощью двух патронных фильтров от частиц размеров более 5 мкм; окончательная очистка воздуха на фильтре тонкой очистки, 0,3 мкм; встроенная система очистки стандартных фильтров. Имеется индикатор уровня загрязнения фильтров. Мощность встроенных двигателей – до 1000 куб.м./час. Компрессор воздушный 100 л обеспечивает достаточную мощность для производимых работ. К сожалению, компрессоры с меньшим объемом очень быстро перестают справляться со стандартным объемом работ и, кроме того, производят намного больше шума. Параметры вытяжки, заявленные производителем, полностью соответствуют ее рабочим характеристикам. Ножки станции снабжены колесиками для облегчения перемещения станции по производственному помещению.

Метод RET. Изменение размера точек лазерного луча.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Метод RET. Изменение размера точек лазерного луча. Метод RET, применяемый фирмой Hewlett Packard, основан на изменении размера точек, которые принтер наносит на бумагу без фактического изменения разрешающей способности. При этом с помощью модуляции лазерного луча в процессе построения изображения удается дозировано снимать заряд с барабана в результате изменяется размер участка, к которому прилипает тонер. Это позволяет, например, заострить углы засечек у букв и избежать скапливания тонера в местах пересечения линий. Наклонные линии также становятся более гладкими. Фирма уверяет, что эффект от использования RET аналогичен повышению разрешающей способности примерно в полтора раз (рис 1). Еще одним примером может послужить блок формирование скрытого электрографического изображения лазерного принтера HP LaserJet 5000 (рис. 2) в котором по сигналу HALF меняется размер лазерной точки с 600 dpi на 1200 dpi.

Память DDR4

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Память DDR4 Компания Rambus представила серию технологий межкомпонентных соединений, которые должны стать основой для нового поколения оперативной памяти DRAM. DDR4 DRAM на основе этих технологий обрел материальные черты уже в 2011 г. Промежуток рабочих частот у DDR4-SDRAM составит 2133~4266 МГц, с напряжением чипов памяти от 1,1 до 1,2 В. Компания Rambus представила технологии, которые помогают в два раза увеличить скорость передачи данных по каждому контакту модуля памяти по сравнению с DDR 3 – до 3200 Мбит/с. Кроме того, будет значительно уменьшено напряжение питания для активного режима и режима ожидания, а также будет обеспечено обслуживание нескольких двухканальных модулей DIMM (Dual In-line Memory Module) на каждом канале памяти. Пока ни компания Intel, ни группа JEDEC не дают комментариев относительно предложений Rambus. Следует отметить, что производители традиционной оперативной памяти сейчас находятся в непростом положении – им на пятки наступают новые технологии NAND-памяти, сочетающей в себе скорость DRAM и энергонезависимость флэш-памяти. В частности, такие технологии разрабатывают компании Spansion (EcoRAM) и Schooner.

Проблемы сползания термопленки узлов фиксации принтеров.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Проблемы сползания термопленки узлов фиксации принтеров. Правильно отрегулированный и настроенный узел закрепления лазерного принтера является залогом долговечной и надежной работы печатающего устройства. К сожалению, большой процент неисправностей связан с блоком закрепления, а точнее, с выходом из строя термопленки. Oдна из самых распространенных неисправностей - сползание пленки в сторону, и, как следствие, это приводит к выходу ее из строя. В статье рассмотрены причины такого поведения пленки, а также методики диагностики и варианты ремонта блока закрепления принтера. Довольно часто в принтерах, узел закрепления которых реализован на ТЭНе и термопленке (см. рис. 1), встречается неисправность, которая проявляется в виде сползания термопленки с нагревательного элемента, и, как следствие, это приводит к выходу ее из строя. Термопленка рвется с одной стороны, при этом видно, что она порвалась не в процессе неправильной эксплуатации, а за счет трения об ограничительный выступ упора. Предшествуют данной неисправности такие проявления при печати, как: - плохое качество закрепления изображения с одной строны (тонер - порошок осыпается с листа в месте плохого прогрева); - периодические замятия листа бумаги в блоке фиксации, так как из-за малого давления лист проскальзывает, скорость его подачи замедляется, и система контроля за прохождением листа определяет его застревание; - лист бумаги выходит из принтера со складками на одной стороне, обычно снизу слева или справа; - наблюдается в период эксплуатации более быстрый износ прижимного резинового вала (расслоение, деформация); - наблюдается в период эксплуатации выход подшипников (бушингов) валов с одной из сторон узла закрепления. Основная причина выхода термопленки из строя, а также проявление данной неисправности - это неравномерный прижим термопленки (давление в зоне прогрева) к нагревательному керамическому элементу и неправильная подача бумаги в узел фиксации.

Характеристики TFT LCD дисплеев.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Характеристики TFT LCD дисплеев. Развитие ЖК-мониторов было связано с повышением четкости и яркости изображения, увеличением угла обзора и уменьшением толщины экрана. Существуют перспективные разработки LCD-мониторов, выполненных по технологии с использованием поликристаллического кремния. Это позволяет, в частности, создавать очень тонкие устройства, поскольку микросхемы управления размещаются в этом случае непосредственно на стеклянной подложке дисплея. Кроме того, новая технология обеспечивает высокую разрешающую способность на сравнительно небольшом по размеру экране. Основные характеристики TFT LCD дисплеев

Дефекты электролитических конденсаторов.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Дефекты электролитических конденсаторов. Одной из причин отказа компьютера могут являться вышедшие из строя электролитические конденсаторы, которые часто используемые компоненты электрических схем. Электролитические конденсаторы отличаются от других конденсаторов тем, что в алюминиевом корпусе находится жидкость (электролит), проводящая ток при подаче напряжения. Почти все электрические схемы в блоке питания используют конденсаторы в фильтрах. Ток после выпрямителя не идеален, пульсации всё равно заметны. Но краткие падения напряжения, вызываемые пульсациями, можно компенсировать конденсатором, который работает как источник дополнительного напряжения, стабилизируя подаваемое напряжение. Электролиты, используемые в конденсаторах обладают низким внутренним сопротивлением и должны обладать очень хорошей проводимостью. Чтобы повысить проводимость электролита (который состоит по большей части из диспергаторов) необходимо использовать добавки. И одна из таких добавок - вода. Недостаточно очищенная вода взаимодействует с алюминиевым корпусом конденсатора, вызывая коррозию. При этом создаются газы, которые увеличивают внутреннее давление - и конденсатор начинает вздуваться. На верхней плоскости конденсатора есть специальные насечки, которые раскрываются при слишком высоком давлении, позволяя газу выйти наружу. Иногда насечки не помогают, и конденсатор взрывается. То же самое происходит и при подаче слишком высокого напряжения. Кроме того, электролит, который находился в конденсаторе, может вытечь на материнскую плату и вызвать короткое замыкание. Электролит может изменить своё физическое состояние и попросту испариться. Причём это может произойти не только в работающей системе, но и тогда, когда система выключена или материнская плата вообще хранится отдельно.

Шаговые двигатели.

Статья добавлена: 28.08.2017 Категория: Статьи

Шаговые двигатели. Шаговые двигатели являются одними из самых распространенных типов двигателей в приборах самого широкого применения. Эти двигатели можно встретить во всех типах копиров, принтеров, МФУ, в факсах, сканерах, дисках, кассовых аппаратах и т. д.. В технике, особенно в устройствах, перечисленных выше, наибольшее применение нашли четырехфазные двигатели. Такие двигатели могут иметь разное количество обмоток возбуждения на статоре (2, 4, 8, 12) намотанные самым различным образом, но все эти обмотки соединяются в две или четыре фазы. Сопротивления фаз двигателя составляет обычно от нескольких Ом до нескольких десятков Ом. В подавляющем большинстве случаев эквивалентную схему обмоток двигателя можно представить тремя способами. Первый способ заключается в том, что все четыре фазы имеют общую точку в которую, обычно, подается питающее напряжение, а переключение фаз осуществляется ключевыми транзисторами, которые при замыкании обеспечивают протекание тока на "корпус" (рис. 1). Второй способ подразумевает парное соединение фаз, т.е. каждые две фазы имеют общую точку и не связаны с другими двумя фазами (рис. 2). Третий способ заключается в парном включении двух фаз, причем они включаются параллельно (рис. 9,10). Фазы различаются направлением протекающего тока возбуждения. Если в первых двух случаях ток через фазы протекал только в одном направлении, то в последнем варианте ток будет уже двунаправленным.

Стр. 192 из 213      1<< 189 190 191 192 193 194 195>> 213

Лицензия