Статья добавлена: 05.07.2022
Категория: Статьи
Процесс печати документа на лазерном принтере (ликбез).
При подключении компьютера к принтеру задание печати отправляется на принтер (через параллельный, последовательный порт, или встроенный в принтер сетевой адаптер, или интерфейс USB). Поток данных может быть двунаправленным, т.е. и принтер может посылать компьютеру сигналы, которые информируют его о приостановке или продолжении передачи потока данных. Типовой процесс печати документа на лазерном принтере состоит из следующих этапов:
- подключение;
- обработка данных;
- форматирование;
- растеризация;
- лазерное сканирование;
- наложение тонера;
- закрепление тонера.
Приблизительно такая последовательность действий выполняется большинством лазерных принтеров. Массовые модели принтеров интенсивно используют в процессе печати компьютер, а более дорогие и совершенные модели большую часть операций выполняют с помощью собственного встроенного аппаратного и программного обеспечения.
Статья добавлена: 04.07.2022
Категория: Статьи
Стандарт Hybrid Memory Cube (HMC).
Основам ныне применяемых стандартов DRAM уже не один десяток лет, и их улучшение позволило повысить пропускную способность, но далеко не настолько, насколько выросла производительность CPU и GPU за это время. Особенно это касается графических процессоров, и индустрии требуются новые типы памяти, которые дадут совершенно иные возможности.
Новые стандарты основываются на так называемой stacked DRAM - размещении чипов памяти слоями, с одновременным доступом к разным микросхемам, что расширяет шину памяти, значительно повышая пропускную способность и немного снижая задержки.
Стандарт Hybrid Memory Cube (HMC), предлагаемый Intel и Micron, можно назвать наиболее универсальным, он должен позволить получить пропускную способность памяти (ПСП) до 480 ГБ/с при несколько больших энергопотреблении и себестоимости по сравнению с Wide I/O 2.
Стандарт HMC не является стандартом JEDEC, но в консорциум входят такие крупные компании, как Samsung, Micron, Microsoft, Altera, ARM, Intel, HP, Xilinx, SK Hynix и другие, так что поддержка со стороны индустрии у стандарта достаточная. Однако среди поддерживающих HMC нет компаний AMD и Nvidia, выпускающих графические процессоры — они выбрали для себя конкурирующий (условно) стандарт компании Hynix — High Bandwidth Memory (HBM).
High Bandwidth Memory (HBM). Новый тип памяти должен был стать огромным шагом вперед по сравнению с применяющейся до сих пор GDDR-памятью, и среди главных преимуществ HBM значились серьезное увеличение пропускной способности и увеличение энергетической эффективности (снижение потребления вместе с ростом производительности).
В стандарте HBM и аналогичных ему, вместо массива очень быстрых чипов памяти (7 ГГц и выше), соединенных с графическим процессором по сравнительно узкой шине от 128 до 512 бит, применяются очень медленные чипы памяти (порядка 1 ГГц эффективной частоты), но ширина шины памяти при этом получается шире в несколько раз.
Статья добавлена: 22.06.2022
Категория: Статьи
Опции CPU_VTT Voltage/ DRAM Voltage.
CPU_VTT Voltage это напряжение питания терминаторов процессора. Еще такое напряжение иногда называют дополнительным, или напряжением питания системной шины. Повышение этого напряжения терминаторов процессора может улучшить разгон. Но для разгона используют другие опции, а CPU_VTT Voltage может только улучшить сам разгон. Не стоит повышать это напряжение больше чем на 0.2 относительно штатного значения.
Опция CPU_VTT предназначена для настройки параметров работы центрального процессора (ЦП). Вариантами опции являются значения напряжения, которые могут варьироваться в зависимости от модели ЦП и материнской платы. Описываемая функция предназначена для ручной установки напряжения расширенного контроллера памяти (Integrated Memory Controller), находящегося внутри ЦП и непосредственно обращающегося к оперативной памяти при помощи системной шины (FSB). Этот параметр также часто называется дополнительным напряжением процессора (основным считается напряжение ядра процессора Vcore или VCCP ...). Штатное значение напряжения контроллера памяти зависит от модели процессора, в частности, от технологического процесса, по которому изготавливается процессор, но обычно колеблется в пределах 1,1 – 1,4 В. Опция VTT в некоторых случаях может позволять пользователю устанавливать и значение параметра больше штатного.
Установка данной опции довольно часто используется в качестве вспомогательной меры при разгоне центрального процессора. Правильное применение данного параметра вместе с другим важным параметром – напряжением ядра процессора Vcore может значительно увеличить стабильность системы при разгоне. Принцип стабилизации работы процессора основан на том, что повышение напряжения уменьшает количество ложных электрических сигналов в системной шине.
Статья добавлена: 21.06.2022
Категория: Статьи
Использование программ BIOS для получения диагностической информации от адаптеров и внешних устройств ПК.
Весьма достоверным источником уточняющей диагностической информации являются байты состояния, байты уточненного состояния, коды ошибок - информация из регистров ошибок и регистров состояний. Эта диагностическая информация формируется схемами контроля адаптеров внешних устройств и программами BIOS, которые пишутся высококвалифицированными специалистами.
Эта диагностическая информация может быть получена и в результате выполнения специально написанных простых программ тестирования. Коды ошибок, байты состояний, информация в регистрах ошибок и регистрах состояний (например, 1F1 и 1F7 на рис.1) - формируются аппаратурой контроллеров и являются информацией о конкретных состояниях и ошибках в аппаратуре контроллеров и внешних устройств. Это достоверная опорная информация для поиска ошибок в контроллерах, расположенных на системных платах и во внешних устройствах.
Для получения такой информации, как: коды ошибок устройств, формируемые программами-функциями BIOS; байты состояния устройства, формируемые аппаратурой контроллеров; содержимое регистра ошибок или регистра состояния контроллера обычно, достаточно однократного выполнения в отладчике (например, AFD) небольшой специальной программы, запускающей контролируемый процесс в устройстве. Затем с помощью AFD прочитать регистры ошибок и состояний внешнего устройств, коды ошибок в регистре АН и AL микропроцессора. После анализа полученной диагностической информации можно приступать к планированию дальнейших действий по локализации неисправности.
Часто квалифицированные специалисты по ремонту вычислительной техники считают, что написание таких программ очень сложное и возможно бесполезное, дело. Но научиться писать небольшие специальные программы несложно, а отказываться от такого простого, мощного и эффективного инструмента просто неразумно и расточительно.
Статья добавлена: 20.06.2022
Категория: Статьи
Многофазные импульсные регуляторы напряжения питания процессоров (ликбез).
Практически все производители материнских плат персональных компьютеров в настоящее время используют многофазные импульсные регуляторы напряжения питания процессоров с технологией динамического переключения числа фаз. Данная технология была разработана компанией Intel, производители материнских плат придумывают ей различные названия (у компании Gigabyte она называется Advanced Energy Saver - AES, у ASRock - Intelligent Energy Saver - IES, у ASUS - EPU, у MSI - Active Phase Switching - APS). Но, несмотря на разнообразие названий, все эти технологии реализованы абсолютно одинаково (возможность переключения фаз питания процессора была заложена еще в спецификацию Intel VR 11.1 и все PWM-контроллеры, совместимые со спецификацией VR 11.1, поддерживают ее).
Многофазные схемы сложнее и дороже в реализации, они и сами потребляют больше энергии во время работы, но многофазные импульсные регуляторы напряжения питания позволяют преодолеть ограничение по току, и значительно снизить пульсации выходного напряжения при той же емкости и индуктивности сглаживающего фильтра.
Например, в материнской плате Intel DX58S0 на базе чипсета Intel X58 ьдля процессоров Intel Core i7 уже был использован 6-фазный, дискретный регулятор напряжения питания процессора на базе PWM-контроллера ADP4000 и MOSFET-драйверов ADP3121.
PWM-контроллер ADP4000 поддерживал интерфейс PMBus (Power Manager Bus) и возможность программирования на работу в режиме 1, 2, 3, 4, 5 и 6 фаз с возможностью переключения числа фаз в режиме реального времени. Кроме того, с помощью интерфейса PMBus можно было считывать текущие значения тока процессора, его напряжения и потребляемой мощности. В каждой фазе питания применялись силовые MOSFET-транзисторы NTMFS4834N компании On Semiconductor с ограничением по току в 130 A. В рассматриваемой схеме регулятора напряжения использовали дроссели PA2080.161NL компании PULSE с ограничением по току 40 A (но даже при таком ограничении по току было вполне достаточно шести фаз питания процессора и имеется большой запас для экстремального разгона процессора).
Возможность переключения фаз питания процессора была заложена еще в спецификацию Intel VR 11.1 и все PWM-контроллеры, совместимые со спецификацией VR 11.1, поддерживали ее. Производители системных плат обычно использовали PWM-контроллеры компании On Semiconductor - например, 6-канальный PWM-контроллер ADP4000 или PWM-контроллеры компании Intersil - например, 6-канальный PWM-контроллер Intersil ISL6336A (контроллеры других компаний применялись значительно реже). Контроллеры и Intersil, и On Semiconductor, совместимые со спецификацией VR 11.1, поддерживали динамическое переключение фаз питания.
Если процессор загружен несильно, а значит, потребляемый им ток невелик, то вполне можно обойтись двумя фазами питания. Потребность в шести фазах возникает при сильной загрузке процессора, когда потребляемый им ток достигает максимального значения. Можно сделать так, чтобы количество задействованных фаз питания соответствовало потребляемому процессором току, то есть чтобы фазы питания динамически переключались в зависимости от загрузки процессора.
Статья добавлена: 20.06.2022
Категория: Статьи
Память GDDR6X+ и GDDR7 для видеокарт.
Samsung уже предлагает свою память следующего поколения GDDR6X+ и следующего поколения GDDR7. Новая память GDDR7 от Samsung начинает работу на с почти на 50% большей пропускной способностью памяти при 32 Гбит/с, а это означает, что мы можем увидеть следующее поколение GeForce RTX 4090 или даже GeForce RTX 5090 с более быстрой памятью GDDR7. Samsung представила свою память GDDR7 следующего поколения (со скоростью 32 Гбит/с) еще в ноябре 2021 года.
Последний стандарт Micron, GDDR6X, эксклюзивный для видеокарт NVIDIA GeForce RTX 3000, уже обеспечивал максимальную пропускную способность до 21 Гбит/с. Новые планки с улучшенным технологическим процессом Samsung позволят преодолеть барьер в 24 Гбит/с. А это, в свою очередь, позволит увеличить пропускную способность до 1 ТБ/с при использовании более широких шин памяти (320 или 384 бит). GDDR6+ может появиться в следующих поколениях: GeForce RTX 4000 и Radeon RX 7000, хотя в них пока не указывают на новый тип памяти.
В ближайшем будущем Samsung также готовит память GDDR7, пропускная способность которой составит 32 Гбит/с (вдвое больше GDDR6). Кроме того, она должна предложить исправление ошибок в реальном времени. Пропускная способность теперь достигнет впечатляющих 1 ТБ/с с 256-битной шиной данных и 2 ТБ/с с 512-битной шиной. Однако, её появление в GPU реально ожидают через несколько лет – в GeForce RTX 5000 (NVIDIA Hopper) и Radeon RX 8000 (RDNA 4).
Статья добавлена: 16.06.2022
Категория: Статьи
Достоинства и проблемы плазменных панелей.
Принцип действия плазменной панели основан на свечении специальных люминофоров (фосфоресцирующие вещества) при воздействии на них ультрафиолетового излучения. В свою очередь это излучение возникает при электрическом разряде в среде сильно разреженного газа. При таком разряде между электродами с управляющим напряжением образуется проводящий "шнур", состоящий из ионизированных молекул газа (плазмы). Поэтому-то газоразрядные панели, работающие на этом принципе, и получили название "газоразрядных" или "плазменных" панелей. Подавая управляющие сигналы на вертикальные и горизонтальные проводники (адресные электроды), нанесенные на внутренние поверхности стекол панели, схема управления панели осуществляет соответственно "строчную" и "кадровую" развертку растра. При этом яркость каждого элемента изображения определяется временем свечения соответствующей "ячейки" плазменной панели: самые яркие элементы "горят" постоянно, а в наиболее темных местах они вовсе не "поджигаются". Светлые участки изображения на PDP (Plasma Display Panel) светятся ровным светом, и поэтому изображение абсолютно не мерцает.
Плазменные панели создаются путем заполнения пространства между двумя стеклянными поверхностями инертным газом. Все пространство разделяется на множество пикселей (элементов изображения), каждый из которых состоит из трех подпикселей, соответствующих одному из трех цветов (красный, зеленый и синий) (см. рис.1). ...
Статья добавлена: 07.06.2022
Категория: Статьи
Возможности Innovation Engine (IE).
Intel представила Innovation Engine (IE), начиная с набора микросхем Lewisburg (то есть компонентов Skylake-SP). IE интегрирован вместе с ME в чипсет. Принимая во внимание, что ME разработан специально для функций Intel, IE разработан специально для системных разработчиков. То есть Intel предоставляет только оборудование для работы с IE, но если системные разработчики не разработают для него специальную прошивку, она ничего не делает. IE - это крошечный микроконтроллер, интегрированный в наборы серверных микросхем Intel, который обеспечивает платформу, необходимую для разработчиков систем для создания своих собственных высоко настраиваемых прошивок. С архитектурной точки зрения IE очень похож на Intel Management Engine (ME), но спроектирован как «открытый движок», позволяющий разработчикам систем разрабатывать свои собственные дифференцирующие микропрограммы. IE дополняет ME, и оба присутствуют, начиная с введения чипсета Lewisburg PCH.
Как и ME от Intel, IE работает на 32-битном микроконтроллере Quark x86. IE выполняет только криптографически подписанный «код IE», привязанный к сборщику системы. Неаутентифицированный код не будет загружен. В отличие от ME, IE имеет дополнительный доступ к UART. Также имеется дополнительный доступ к контроллеру системной платы (BMC) для разработчиков систем, которые реализуют функции встроенного ПО IE, которые обмениваются данными напрямую с сетью.
Innovation Engine - это небольшой процессор архитектуры Intel и подсистема ввода-вывода, встроенная в серверные платформы Intel. Intel IE позволяет сборщикам систем создавать свои собственные уникальные, дифференцированные прошивки для серверов, систем хранения и сетей.
Статья добавлена: 12.05.2022
Категория: Статьи
UEFI-ПЗУ. Микросхемы SPI_Flash памяти с интерфейсами SPI: Dual-SPI, Quad-SPI, QPI-SPI.
Серии микросхем памяти Winbond W25X и WQ имеют популярный последовательный периферийный интерфейс (SPI), плотности от 512 Кбит до 512 Мбит, небольшие стираемые сектора и самую высокую производительность. Семейство W25X поддерживает Dual-SPI, удваивая стандартные частоты SPI. Семейство W25Q является «надстройкой» семейства 25X с Dual-I/O и Quad-I/O SPI с еще большей производительностью. Тактовые частоты до 104 МГц достигают эквивалента 416 МГц (со скоростью передачи данных 50 Мбайт/с) при использовании Quad-SPI. Это более чем в восемь раз превышает производительность обычной последовательной Flash памяти (50 МГц) и даже превосходит асинхронные параллельные Flash памяти при использовании меньшего количества выводов и меньшего места.
Существенным недостатком использования ПЗУ была их низкая производительность. Ее помогает обойти использование «теневой памяти» (Shadow RAM) в которую для ускорения доступа копируется BIOS (а теперь и UEFI). Возможности современных технологий позволяют выполнить старт персональной платформы, полностью отказавшись от использования оперативной памяти.
Возможности современных реализаций флеш-памяти рассмотрим на примере чипа W25Q64FV, используемого для хранения кода UEFI BIOS. Компания Winbond, разработавшая этот чип, позиционирует его как устройство, позволяющее выполнять программы непосредственно из исходного носителя. Данная технология получила название Execute In Place (XIP) и по идее должна заменить режим Shadow RAM.
Расширения SPI-протокола: Dual-SPI, Quad-SPI, QPI-SPI. ... ...
Статья добавлена: 06.05.2022
Категория: Статьи
Обслуживание оргтехники (ликбез).
Современная копировальная техника, включая и бюджетные офисные модели, и дорогие многофункциональные аппараты, несмотря на надежность, требует периодических сервисных мероприятий: плановой замены материалов и деталей, выработавших ресурс, очистки процессора и оптики, настройки экспозиции и т.д. Перепад температуры и влажности, атмосферные взвеси, бумажная пыль, броски в сетях питания - вот далеко неполный перечень факторов, влияющих на стабильность и качество работы копиров. Ремонт, обслуживание, содержание оборудования требует больших затрат, чем затраты при его приобретении. Основная доля затрат при эксплуатации копировального аппарата приходится на бумагу и расходные материалы. Диаграмма на рис. 1 показывает примерное соотношение расходов на эксплуатацию копировального аппарата формата А3, имеющего производительность 40 коп/мин.
Исправность устройств во многом зависит от того, как эксплуатируется оргтехника. Доля регулярного технического обслуживания составляет всего 4-6% от стоимости эксплуатации. Нередки примеры того, что у руководства организаций и отдельных подразделений не сложилось правильного отношения к вопросам организации обслуживания оргтехники и, в частности, копировальных аппаратов. Если в отношении компьютерной техники таких вопросов, обычно, не возникает, и зачастую в организации присутствует специалист, отвечающий за правильную работу такого оборудования, то офисная оргтехника иногда остается "без присмотра". Что же получается в результате? Это - и плохое качество отпечатков, и замятие бумаги внутри аппарата, и появление сообщений об ошибках, ну, а в конце концов, - отказ устройства. Если в подобной ситуации еще добавляются некорректные действия пользователей (например, попытка вытянуть застрявший лист бумаги, не учитывая направления вращения подающих роликов), то копир может прийти в состояние полной неработоспособности. В лучшем случае это потребует дорогостоящего ремонта, а иногда приводит к необходимости приобретения нового оборудования.
Для поддержания нормальной работы копира требуется периодическое сервисное обслуживание. ... ...
Статья добавлена: 29.04.2022
Категория: Статьи
Профилактическое обслуживание. Чистка компьютера.
Один из наиболее важных элементов профилактического обслуживания — регулярные
и тщательные чистки. Пыль, оседающая внутри компьютера, может стать причиной многих
неприятностей. Вопервых, она является теплоизолятором, который ухудшает охлаждение
системы. В результате сокращается срок службы компонентов и увеличивается перепад температур при прогреве компьютера. Во-вторых, в пыли обязательно содержатся проводящие частицы, что может привести к возникновению утечек и даже коротких замыканий между электрическими цепями. И наконец, некоторые вещества, содержащиеся в пыли, могут ускорить процесс окисления контактов, что приведет в конечном счете к нарушениям электрических соединений. В любом случае чистка компьютера пойдет ему только на пользу.
В табачном дыму содержатся вещества, проводящие электрический ток и вступающие в химические реакции с металлами. Налет от дыма образуется практически всюду в компьютере, приводя к окислению и загрязнению электрических контактов, головок чтения/записи и линз оптических датчиков. Не курите рядом с компьютерной техникой и попытайтесь убедить свое руководство ввести это правило в служебную инструкцию.
Наиболее подвержены загрязнению дисководы. Каждый из них оказывается, попросту говоря, большой “трубой”, через которую постоянно протекает воздух. Поэтому в них быстро
скапливается огромное количество пыли и нежелательных химических соединений. С жесткими дисками проблем меньше. Они имеют герметичную конструкцию с одним клапаном, в котором установлен воздушный фильтр. Чистка жесткого диска сводится к простому сдуванию пыли с внешней поверхности корпуса (внутри ничего протирать не нужно).
Для того чтобы как следует почистить компьютер и все установленные в нем платы, необходимы специальные инструменты и материалы: ... ...
Статья добавлена: 28.04.2022
Категория: Статьи
Память 3D Xpoint. Немного истории.
Широко о мемристоре заговорили уже в 2010 году, когда компания HP заявила о возможности выпускать массивы памяти на мемристорах промышленным способом. Ранее мемристор считался гипотетически возможным четвёртым электротехническим элементом в дополнение к конденсатору, резистору и катушке индуктивности.
Фактически мемристор ― это резистор с электронным образом управляемым и даже обратимым сопротивлением. Ещё проще ― это резистивная память. В каком-то смысле память 3D XPoint компании Intel ― это тоже мемристор. Это мы к тому, что мемристор не является чем-то исключительным. Обычно это два электрода, один из которых зачастую состоит из серебра, между которыми заключён слой аморфного кремния. При подаче напряжения на электроды между ними устанавливается проводящий ток канал (происходит насыщение ионами). Снятие напряжения не снижает насыщенность канала ионами, что ведёт к эффекту памяти. И таких состояний может быть множество, а не два, как 0 или 1 в случае обычных транзисторов.
Компании Intel и Micron совместными усилиями создали новый тип системы хранения данных, который в одну тысячу раз быстрее самой передовой памяти NAND Flash. Новый тип памяти, получивший название 3D XPoint, показывает скорости чтения и записи в тысячу раз превышающие скорость обычной памяти NAND, а также обладает высокой степенью прочности и плотности. Новостное агентство CNET сообщает, что новая память в 10 раз плотнее чипов NAND и позволяет на той же физической площади сохранять больше данных и при этом потребляет меньше питания. Кроме того, указывается, что новый тип памяти очень даже «доступен», хотя вопросы о возможной конечной цене продукта на базе такого типа памяти по-прежнему остаются открытыми.
Intel и Micron заявляют, что их новый тип памяти может использоваться как в качестве системной, так и в качестве энергозависимой памяти, то есть, другими словами, ее можно использовать в качестве замены как оперативной RAM-памяти, так и SSD. В настоящий момент компьютеры могут взаимодействовать с новым типом памяти через интерфейс PCI Express, однако Intel говорит, что такой тип подключения не сможет раскрыть весь потенциал скоростей новой памяти, поэтому для максимальной эффективности памяти XPoint придется разработать новую архитектуру материнской платы.
Благодаря новой технологии 3DXpoint (кросс-поинт) ячейка памяти меняет сопротивление для различения между нулем и единицей. Поскольку ячейка памяти Optane не одержит транзистора, плотность хранения данных в памяти Optane превышает в 10 раз показатели NAND Flash. Доступ к индивидуальной ячейке обеспечивает сочетание определенных напряжений на пересекающихся линиях проводников. Аббревиатура 3D введена поскольку ячейки в памяти расположены в несколько слоев.
Уже в 2016 году технология получила широкое применение и стала использоваться как в аналогах флеш-карт, так и в модулях оперативной памяти и жестких дисках. Благодаря новой техноголии, компьютерные игры получили мощнейшее развитие, ведь сложные по объему памяти локации и карты будут загружаться мгновенно. Intel заявляет о 1000-кратном превосходстве нового типа памяти, по сравнению с привычными нам флеш-картами и жесткими дисками.
... ...
Версия сайта для слабовидящих
